[发明专利]包含鳍式场效晶体管的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：

一第一半导体鳍片，形成在一基材上并沿着一第一横轴延伸；以及

一第二半导体鳍片，亦形成在该基材上并沿着该第一横轴延伸；

其中该第一半导体鳍片的至少一尖端部分和该第二半导体鳍片的至少一尖端部分沿着一第二横轴朝彼此弯曲，该第二横轴是垂直于该第一横轴。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包含：

一隔离区，设置在该基材上并覆盖该第一半导体鳍片的一下部分和该第二半导体鳍片的一下部分，其中该第一半导体鳍片的该尖端部分和该第二半导体鳍片的该尖端部分沿着该第二横轴分开一第一间距，该第一半导体鳍片的一其余部分和该第二半导体鳍片的一其余部分沿着该第二横轴分开一第二间距，该第一间距小于该第二间距。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该隔离区包含一第一区、一第二区和一第三区，该第一区是位于该第一半导体鳍片与该第二半导体鳍片之间，该第二区是位于该第一半导体鳍片的与该第一区相反的一侧，该第三区是位于该第二半导体鳍片的与该第一区相反的一侧，其中该第一区、该第二区和该第三区的各顶表面是彼此平整。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，由该第一半导体鳍片的该尖端部分或该第二半导体鳍片的该尖端部分至该第一区中的该隔离区的一顶表面所测量的一第一高度、由该第一半导体鳍片的该尖端部分至该第二区中的该隔离区的一顶表面所测量的一第二高度、与由该第二半导体鳍片的该尖端部分至该第三区中的该隔离区的一顶表面所测量的一第三高度是彼此相似。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一半导体鳍片的该尖端部分自一第一垂直轴横向偏离一第一非零距离，该第一半导体鳍片沿着该第一垂直轴自该基材突出；该第二半导体鳍片的该尖端部分自一第二垂直轴横向偏离一第二非零距离，该第二半导体鳍片沿着该第二垂直轴自该基材突出。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置还包含一第三半导体鳍片，该第三半导体鳍片亦被形成在该基材上并沿着该第一横轴延伸，其中该第三半导体鳍片是设置于该第一半导体鳍片和该第二半导体鳍片之间，该第一半导体鳍片具有一第一高度，该第二半导体鳍片具有一第二高度，该第三半导体鳍片具有一第三高度，该第三高度小于该第一高度和该第二高度其中任一者。

7.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：

一第一半导体鳍片，形成在一基材上并沿着一第一横轴延伸；

一第二半导体鳍片，亦形成在该基材上并沿着该第一横轴延伸；

一第三半导体鳍片，亦形成在该基材上并沿着该第一横轴延伸，其中该第三半导体鳍片是设置于该第一半导体鳍片和该第二半导体鳍片之间；以及

一隔离区，设置在该基材上并覆盖该第一半导体鳍片的一下部分、该第二半导体鳍片的一下部分和该第三半导体鳍片的一下部分，

其中该第一半导体鳍片的至少一尖端部分是朝该第三半导体鳍片倾斜，该第二半导体鳍片的至少一尖端部分是朝该第三半导体鳍片倾斜。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该第一半导体鳍片具有沿着垂直于该第一横轴的一第二横轴测量并与该隔离区的一顶表面对齐的一第一宽度，该第二半导体鳍片具有沿着该第二横轴测量并与该隔离区的该顶表面对齐的一第二宽度，该第三半导体鳍片具有沿着该第二横轴测量并与该隔离区的该顶表面对齐的一第三宽度，该第三宽度小于该第一宽度和该第二宽度其中任一者。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，该隔离区包含一第一区、一第二区、一第三区和一第四区，该第一区是位于该第一半导体鳍片与该第三半导体鳍片之间，该第二区是位于该第二半导体鳍片与该第三半导体鳍片之间，该第三区是位于该第一半导体鳍片的与该第一区相反的一侧，该第四区是位于该第二半导体鳍片的与该第二区相反的一侧，该第一区、该第二区、该第三区和该第四区的各顶表面是彼此平整。

10.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：

多个半导体鳍片，形成在一基材上，其中所述多个半导体鳍片彼此平行，以致于多个沟渠其中每一者被设置在所述多个半导体鳍片中的相邻者之间或所述多个半导体鳍片的一者的旁边；以及

一隔离区，包含多个区，其中每一所述区是设置在所述多个沟渠的一各自者上，所述多个区的各顶表面是彼此平整，

其中所述多个半导体鳍片的一第一者和一第二者包含朝彼此弯曲的至少一各自的尖端部分，所述多个半导体鳍片的一第三者是设置在所述多个半导体鳍片的该第一者与该第二者之间，所述多个半导体鳍片的该第一者具有一第一高度，所述多个半导体鳍片的该第二者具有一第二高度，所述多个半导体鳍片的该第三者具有一第三高度，该第三高度小于该第一高度和该第二高度其中任一者。