[发明专利]一种FLASH芯片存储区及其高性能防掉电读写方法

权利要求书

1.一种FLASH芯片存储区，其特征在于，包括第一数据区、第二数据区和擦写操作记录区；第一数据区用于存储用户数据，第二数据区用于存储被擦写页面的新数据，擦写操作记录区记录擦写FLASH页面擦写的记录，按页面擦写，轮换使用，不需要备份，并要求当前写入的擦写记录页面不能与在此之前写入的擦写记录页面相同；每个擦写记录单元在第二数据区或者第一数据区对应一个页面；

在擦写一个页面时，根据擦写操作记录区中擦写记录页面中的内容确定一个属于第一数据区或第二数据区的页面，然后将新的数据写入该页面；如果要擦写多个页面，则根据擦写记录页面中的内容确定多个页面，然后将新数据写入每个页面，并在完成擦写事务时将擦写记录写入擦写记录页面中。

2.如权利要求1所述的FLASH芯片存储区，其特征在于，擦写操作记录区分配至少两个擦写记录页面，分别为有效记录页面和无效记录页面。

3.如权利要求1所述的FLASH芯片存储区，其特征在于，擦除记录页面是以2个字节为单元的记录组成；首个两字节为记录信息，最后两个字节为所有有效记录的校验核，中间所有字节为擦写记录单元。

4.如权利要求3所述的FLASH芯片存储区，其特征在于，首个两字节中，第一个字节记录擦写记录序号，最大值即为最新擦写序号，第二个字节记录擦写记录单元中有效记录的个数，包含处于事务中的擦写记录单元的个数。

5.如权利要求3或4所述的FLASH芯片存储区，其特征在于，每个擦写记录单元中记录备份数据可用页面标识，根据备份数据可用页面标识的值确定页面属于第一数据区或第二数据区。

6.如权利要求1所述的FLASH芯片存储区，其特征在于，当第二数据区中的页面被使用完或者现有业务中不要求性能的其他业务时，根据擦写记录单元编码将第二数据区中的用户数据写回到第一数据区中，并释放对应的擦写记录单元，用于后续擦写页面保护。

7.如权利要求6所述的FLASH芯片存储区，其特征在于，在芯片上电时检查擦写记录单元，查找擦写记录单元中校验核正确，且擦写记录序号最大的擦写记录单元，并将该最大擦写记录单元作为有效擦写记录单元，用于后续有效数据的读取或擦写。

8.一种高性能防掉电擦写方法，应用于如权利要求1-7任一项所述的FLASH芯片存储区中，其特征在于，所述方法包括：

Step11、根据待写入数据的地址A，检查地址A内的数据是否在缓存中，如果是，则执行步骤Step14，否则执行步骤Step12；

Step12、判断在擦写记录页面中是否能够查找地址A对应的记录，如果是，则执行步骤Step13，否则在擦写记录页面中分配一个新的记录单元位置，将所述地址编码成记录单元后写入该记录单元位置内，然后执行步骤Step13；

Step13、根据缓存地址在擦写页面记录表中查找对应的擦写记录单元，根据擦写记录单元解码出地址B，将缓存中的数据写入该地址B，将地址A编码成擦写记录单元后写入擦写页面记录表中；

Step14、将要写入地址A的待写入数据写入缓存中，继续判断是否有新数据需要进行写操作，如果是，则返回执行Step11，否则将擦写页面记录表写入擦写记录页面中，数据擦写结束。

9.一种芯片存储区页面数据读取方法，应用于如权利要求1-7任一项所述的FLASH芯片存储区中，其特征在于，所述方法包括：

Step21、根据待读取地址C，检查地址C的数据是否已被缓存，如果是，则从缓存中读取数据，执行步骤Step24，否则执行步骤Step22；

Step22、在擦写页面记录表中查找地址C是否已被记录，如果没有被记录，则执行Step23，如果被记录，则从擦写记录单元中解码得到地址C的数据所在页面地址D，从地址D读取数据，执行Step24；

Step23、从地址C直接读取数据；

Step24、检查是否需要继续读取其他页面数据，如果是，则返回执行Step21，否则数据读取结束。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，包括至少一个存储器和至少一个处理器；

存储器用于存储一个或多个程序指令；

处理器，用于运行一个或多个程序指令，用以执行如权利要求8所述的一种高性能防掉电擦写方法和如权利要求9所述的一种芯片存储区页面数据读取方法。