[发明专利]半导体器件

说明书

本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括：第一基板；形成在第一基板上的多层布线层；第一电感器，在平面图中，该第一电感器被形成为多层布线层上的曲折形状；以及第二电感器，在平面图中，该第二电感器被形成为多层布线层上的曲折形状，并且被布置为在平面图中与第一电感器靠近且与第一电感器不重叠。变压器由第一电感器和第二电感器来构造；并且在平面图中，第一电感器和第二电感器沿着第一方向延伸，第一基板的一侧在该第一方向上延伸。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年5月22日提交的日本专利申请号2020-090116的优先权，其内容通过引用由此并入本申请。

技术领域

本公开涉及半导体器件，并且可应用于例如具有电感器的半导体器件。

背景技术

当在待被输入的电信号的电位彼此不同的两个电路之间传输电信号时，光电耦合器经常被用作光隔离器。光电耦合器具有发光元件(诸如发光二极管)和光接收元件(诸如光电晶体管)，通过光传输元件将输入的电信号转换为光，并且通过光接收元件将该光返回到电信号，从而传输该电信号。

然而，由于光电耦合器具有发光元件和光接收元件，因此难以小型化。另外，当电信号的频率为高时，光电耦合器不能跟随电信号。作为用于解决这些问题的技术，已开发了一种技术，用于通过将两个电感器感应耦合的变压器来传输电信号。通过使用该变压器来构造隔离器。例如，公开了专利文件1(日本专利申请公开号2010-219122)。

发明内容

当通过将设置在半导体器件中的两个电感器感应耦合来传输电信号时，通过设置这两个电感器，半导体器件的尺寸可能变大。

在本公开的一个方面中，两个电感器各自被成形为曲折状以形成变压器。另外，通过使用变压器来构造隔离器。

根据以上半导体器件，可以降低其尺寸的增加。

附图说明

图1是根据实施例的半导体器件的平面图。

图2是图1中所示的半导体器件的横截面图。

图3是用于说明图1中所示的制造半导体器件的方法的横截面图。

图4是用于说明图1中所示的制造半导体器件的方法的横截面图。

图5是用于说明图1中所示的制造半导体器件的方法的横截面图。

图6是用于说明图1中所示的制造半导体器件的方法的横截面图。

图7是用于说明图1中所示的制造半导体器件的方法的横截面图。

图8是用于说明图1中所示的制造半导体器件的方法的横截面图。

图9是用于说明图1中所示的制造半导体器件的方法的横截面图。

图10是用于说明图1中所示的制造半导体器件的方法的横截面图。

图11是用于说明图1中所示的制造半导体器件的方法的横截面图。

图12是用于说明图1中所示的制造半导体器件的方法的横截面图。

图13是图1中所示的两个电感器的平面图。

图14是第一修改示例中的电感器的平面图。

图15是第二修改示例中的电感器的平面图。

图16是示出实施例和第二修改示例中的电感器的相应电感值的图。

图17是示出实施例和第二修改示例中的电感器中的每个电感器的Q值的图。

图18是第三修改示例中的电感器的平面图。