[发明专利]GOA电路、GOA电路驱动方法及显示面板

说明书

本申请实施例提供了GOA电路、GOA电路驱动方法及显示面板，涉及电子技术领域，在具备电容自举功能的子电路与控制子电路之间添加电容自举电压阻断子电路，利用电容自举电压阻断子电路来阻断流向控制子电路的自举电压，能够防止电容自举产生的过低电压造成控制子电路中的场效应晶体管信赖性失效的情况，从而减少异常显示的情况。同时电容自举电压阻断子电路在STV输入结束后会处于关闭状态，会进一步降低自举电容的电容漏电流的大小，从而降低GOA噪音的影响，节省GOA降噪电路的设计。

技术领域

本申请涉及电子技术领域，特别是涉及GOA电路、GOA电路驱动方法及显示面板。

背景技术

AMOLED(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示产品的GOA(Gate Driver on Array，基板行驱动技术)驱动相比于IC(Integrated Circuit，集成电路)驱动具有低成本，窄边框的优点，已经越来越广泛地使用在Mobile(可移动)产品上。并且现在的OLED柔性产品越来越多地开始应用在车载和户外的穿戴产品上，高电压容易导致GOA电路的TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)发生信赖性失效，例如NBTS(负偏压温度应力)和PBTS(正偏压温度应力)失效等，从而使产品出现分屏和异显等情况，最终导致无法正常显示。

场效应晶体管信赖性失效主要发生在电压较大的节点上，在GOA电路中普遍存在电容自举的设计，通过电容自举拉低低电平输出管的栅极电压，电容自举会造成局部出现很低的自举电压(一般为-20V)，该设计是为了让指定的场效应晶体管彻底打开，从而保证低电压(一般为-7V)完全输出，但是该自举电压容易造成其他场效应晶体管的电压较大，从而导致其他场效应晶体管信赖性失效。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种GOA电路、GOA电路驱动方法及显示面板，以实现减少异常显示的情况。具体技术方案如下：

第一方面，本申请实施例提供了一种GATE GOA电路，包括：

控制子电路、第一输出子电路、第二输出子电路及电容自举电压阻断子电路；

所述控制子电路的第一端与所述第一输出子电路连接，所述控制子电路的第二端与所述电容自举电压阻断子电路的第一端连接；

所述电容自举电压阻断子电路的第二端与所述第二输出子电路连接；

其中，所述控制子电路用于控制所述第一输出子电路及所述第二输出子电路的输出，所述第二输出子电路为具备电容自举功能的子电路，所述电容自举电压阻断子电路用于阻断流向所述控制子电路的所述第二输出子电路的自举电压。

在一种可能的实施方式中，所述电容自举电压阻断子电路包括第六MOS管，所述第六MOS管的第一端与所述控制子电路的第二端连接，所述第六MOS管的第二端与所述第二输出子电路连接，所述第六MOS管的栅极与GCK线路连接。

在一种可能的实施方式中，所述控制子电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管；

所述第一输出子电路包括第四MOS管、第一电容；

所述第二输出子电路包括第五MOS管、第二电容；

所述第一MOS管的第一端与GSTV线路连接，所述第一MOS管的第二端与所述第二MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的第二端还与所述第六MOS管的第一端连接，所述第一MOS管的栅极与GCK线路连接；

所述第二MOS管的第一端与所述GCK线路连接，所述第二MOS管的第二端分别与所述第三MOS管的第二端、所述第一电容的第一端、所述第四MOS管的栅极连接；

所述第三MOS管的第一端与VGL线路连接，所述第三MOS管的栅极与所述GCK线路连接；