[发明专利]电池组件以及用于制备电池组件的方法

说明书

本申请提供了一种电池组件以及用于制备电池组件的方法，该电池组件包括：第一子电池和与该第一子电池相邻的第二子电池以及底电极，该第一子电池和第二子电池都包括P型层和N型层，以及位于该P型层和N型层之间的吸光层，第一子电池的P型层和第二子电池的N型层通过底电极连接。提供一种子电池之间的连接方式，相比于目前子电池之间通过切割形成P1、P2以及P3间隙实现互联的方式来说，能够降低子电池之间互联而带来的几何光学损失。

技术领域

本申请涉及电池制备领域，尤其涉及一种电池组件以及用于制备电池组件的方法。

背景技术

近年来，以钙钛矿、有机薄膜太阳能电池为代表的新型薄膜太阳能电池取得了颠覆性进展，由于其具备高效率、低成本、工艺简单等优势而成为硅基太阳能电池最潜在的替代者。其中，就效率而言，自2009年钙钛矿太阳能电池获得3.8％的光电转换效率以来，短短十几年间，钙钛矿太阳能电池效率已突破25.2％，逼近晶硅电池的效率记录26.7％，有机太阳能电池光电转换效率也已突破17.4％。

然而，现阶段所有高效率的新型薄膜太阳能电池基本仍处于实验室小面积单元电池器件(或者称为子电池)阶段，当电池器件面积变大后，其光电转换效率将急剧下降。如何降低电池器件到大面积电池组件的转变中的光电转换损耗成为亟待解决的问题。

发明内容

本申请提供一种电池组件以及用于制备电池组件的方法，能够降低子电池到大面积电池组件的转变中的光电转换损耗。

第一方面，提供了一种电池组件，包括：第一子电池、相邻于该第一子电池的第二子电池以及底电极，其中：该第一子电池和该第二子电池均包括P型层、N型层，以及位于该P型层和该N型层之间的吸光层，该第一子电池的该P型层与该第二子电池的该N型层通过该底电极连接。

其中，该第一子电池的该P型层与该第二子电池的该N型层通过该底电极连接可以理解为：第一子电池的该P型层与该底电极相连接，第二子电池的该N型层也与该底电极相连接。

另外，由于P型层包含P型半导体材料，P型半导体带正电；N型层包含N型半导体材料，N型半导体材料带负电，因此，当第一子电池的P型层与第二子电池的N型层过该底电极电性互连时，还可以理解为：第一子电池的正极第二子电池的负极连接，从而实现两个两个子电池之间的串联连接。相比于目前子电池之间通过切割形成P1、P2以及P3间隙实现互联的方式来说，能够降低子电池之间互联而带来的几何光学损失。

本申请实施例提供的电池组件，第一子电池和第二子电池中一个子电池为P-I-N型子电池，另一个子电池为N-I-P型子电池。其中，P-I-N型子电池表示子电池的结构为P-I-N结构，即在P型半导体层和N型半导体层中间插入一层本征(intrinsic)半导体层；N-I-P型子电池表示子电池的结构为N-I-P结构，与P-I-N结构相反。

由上述可知，两个子电池之间的互联方式为一个子电池的P型层与另一个子电池的N型层通过底电极连接，具体地，在底电极上设有第一子电池和第二子电池，第一子电池的P型层与底电极接触，第二子电池的N型层与底电极接触。以底电池作为下基板来说，可以得到，第一子电池为P-I-N型子电池，第二子电池为N-I-P型子电池；以远离底电池的一端(如，下述的背电极)作为下基板来说，可以得到，第一子电池为N-I-P型子电池，第二子电池为P-I-N型子电池。

本申请实施例中对于两个相邻的子电池中哪个为P-I-N型子电池，哪个为N-I-P型子电池不做限制。例如，上述的第一子电池为P-I-N型子电池，第二子电池为N-I-P型子电池；还例如，上述的第一子电池为N-I-P型子电池，第二子电池为P-I-N型子电池。

需要说明的是，上述的底电极也可以理解为子电池的一部分。例如，子电池包括P型层、N型层、吸光层以及底电极，上述的第一子电池的底电极和第二子电池的底电极为一体结构。

示例性地，底电极为透明导电层；或者说，底电极为半透明导电层。