[发明专利]一种有机光伏器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110561157.1 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113285036A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 罗志猛;黄广;李源;谢雄才 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王欣 |
| 地址： | 516600 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有机 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种有机光伏器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：
步骤S10，在基板上镀设TCO并对TCO图案化，形成用于对TCO分节的多个间隙；
步骤S20，在TCO上形成绝缘填充物，将TCO表面平坦化并抛光，使各所述间隙填充所述绝缘填充物；
步骤S30，制作OPV有机层并在OPV有机层开孔，其中各所述间隙的上方均设有与其部分重叠且与所述OPV有机层部分重叠的开孔；
步骤S40，在OPV有机层上方制作阴极。
2.根据权利要求1所述的有机光伏器件的制作方法，其特征在于，所述绝缘填充物为OC、PI、聚硅氧烷或硅酸盐，且所述绝缘填充物采用Spin或Slit方式涂布。
3.根据权利要求2所述的有机光伏器件的制作方法，其特征在于，所述绝缘填充物在涂布过程中的溶液粘度小于10cps。
4.根据权利要求1所述的有机光伏器件的制作方法，其特征在于，所述绝缘填充物为SiNx或SiO2，且所述绝缘填充物采用PECVD法成膜。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的有机光伏器件的制作方法，其特征在于，所述绝缘填充物的成膜厚度为TCO厚度的1.5~3倍。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的有机光伏器件的制作方法，其特征在于，所述开孔与TCO的重叠宽度不小于1μm，且所述开孔与所述绝缘填充物的重叠宽度不小于1μm。
7.根据权利要求6所述的有机光伏器件的制作方法，其特征在于，所述开孔的形状为矩形或扇环形。
8.一种根据权利要求1-7中任一项所述方法制作的有机光伏器件，其特征在于，包括：
基板；
TCO，所述TCO镀设在所述基板且设有用于分节的多个间隙；
绝缘填充物，所述绝缘填充物填充在各所述间隙，且所述绝缘填充物的上表面与所述TCO的上表面平齐；
HIL，所述HIL镀设在所述TCO和所述绝缘填充物上；
OPV有机层，所述OPV有机层镀设在所述HIL和所述TCO上，设有部分与所述间隙重叠且部分与所述TCO重叠的开孔；
阴极，所述阴极镀设在所述OPV有机层上。
9.根据权利要求8所述的有机光伏器件，其特征在于，所述绝缘填充物为OC、PI、聚硅氧烷、硅酸盐、SiNx或SiO2。
10.根据权利要求8所述的有机光伏器件，其特征在于，所述开孔与TCO的重叠宽度不小于1μm，且所述开孔与所述绝缘填充物的重叠宽度不小于1μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
