[发明专利]存储器单元、非易失性半导体存储装置及非易失性半导体存储装置的制造方法

权利要求书

1.一种存储器单元，其特征在于，包括：

半导体基板，由绝缘层覆盖；

鳍部，以从所述绝缘层突出的方式形成在所述半导体基板上；

存储器栅极构造体，层叠有下部存储器栅极绝缘膜、电荷存储层、上部存储器栅极绝缘膜及存储器栅极，并以横跨所述鳍部的方式形成在所述绝缘层上；

第一选择栅极构造体，在第一选择栅极绝缘膜上设置有第一选择栅极，沿形成在所述存储器栅极构造体的一侧侧壁的一侧壁隔板，以横跨所述鳍部的方式形成在所述绝缘层上；

第二选择栅极构造体，在第二选择栅极绝缘膜上设置有第二选择栅极，沿形成在所述存储器栅极构造体的另一侧侧壁的另一侧壁隔板，以横跨所述鳍部的方式形成在所述绝缘层上；

漏极区域，在与所述第一选择栅极构造体邻接的所述鳍部的表面，以与所述第一选择栅极绝缘的方式设置，并电连接有位线；

源极区域，在与所述第二选择栅极构造体邻接的所述鳍部的表面，以与所述第二选择栅极绝缘的方式设置，并电连接有源极线，

所述第一选择栅极构造体、所述存储器栅极构造体及所述第二选择栅极构造体设置在所述漏极区域与所述源极区域之间，

当将作为从所述鳍部的上表面到所述绝缘层上的所述存储器栅极的底面的距离的所述鳍部的电极内突出高度以Hfin表示，所述第一选择栅极构造体和所述第二选择栅极构造体横跨所述鳍部的方向的所述鳍部的宽度以Wfin表示时，

Hfin＞Wfin，

写入选择时，通过基于所述存储器栅极与所述鳍部之间的电压差产生的量子隧道效应，向所述电荷存储层注入电荷，写入非选择时，通过形成在所述鳍部内的耗尽层，阻止向所述电荷存储层内的电荷注入。

2.一种存储器单元，其特征在于，包括：

半导体基板，由绝缘层覆盖；

鳍部，以从所述绝缘层突出的方式形成在所述半导体基板上；

存储器栅极构造体，层叠有下部存储器栅极绝缘膜、电荷存储层、上部存储器栅极绝缘膜及存储器栅极，并以横跨所述鳍部的方式形成在所述绝缘层上；

第一选择栅极构造体，在第一选择栅极绝缘膜上设置有第一选择栅极，沿形成在所述存储器栅极构造体的一侧侧壁的一侧壁隔板，以横跨所述鳍部的方式形成在所述绝缘层上；

第二选择栅极构造体，在第二选择栅极绝缘膜上设置有第二选择栅极，沿形成在所述存储器栅极构造体的另一侧侧壁的另一侧壁隔板，以横跨所述鳍部的方式形成在所述绝缘层上；

漏极区域，在与所述第一选择栅极构造体邻接的所述鳍部的表面，以与所述第一选择栅极绝缘的方式设置，并电连接有位线；

源极区域，在与所述第二选择栅极构造体邻接的所述鳍部的表面，以与所述第二选择栅极绝缘的方式设置，并电连接有源极线，

所述第一选择栅极构造体、所述存储器栅极构造体及所述第二选择栅极构造体设置在所述漏极区域与所述源极区域之间，

所述存储器栅极与所述第一选择栅极之间的距离以及所述存储器栅极与所述第二选择栅极之间的距离为5nm以上且40nm以下，所述第一选择栅极绝缘膜和所述第二选择栅极绝缘膜的膜厚度为3nm以下。