[发明专利]一种半导体电迁移测试电路及测试方法

权利要求书

1.一种半导体电迁移测试电路，其特征在于，至少包括，

若干个金属测试线；

多级电流源模块，包括若干个晶体管，其设置在所述金属测试线的一侧，且连接所述金属测试线的一端；

若干个测试点，包括至少四个焊盘，其设置在所述多级电流源模块与所述金属测试线的两端。

2.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述多级电流源模块为多路比例电流源，用于提供多组静态电流，且控制多路电流按照一定比例进行输出。

3.根据权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述多级电流源模块包括若干个电阻，所述若干个电阻包括端电阻，所述端电阻的一端连接电源电压的输出端，另一端连接所述晶体管。

4.根据权利要求3所述的测试电路，其特征在于，所述端电阻的数量为1个。

5.根据权利要求3所述的测试电路，其特征在于，所述电阻的输入端连接所述晶体管的一端，所述电阻的输出端连接接地端，若干个所述电阻分别连接各个所述晶体管，所述电阻串联所述晶体管形成多级放大电路。

6.一种半导体电迁移测试方法，其特征在于，使用权利要求1-5任一所述的测试电路，其至少包括，

将若干个金属测试线放置在所述测试点上，并在所述多路比例电流源的一端施加总电流，形成所述多路比例电流源的输出电流，获得相对应所述金属测试线的输入电流；

检测每个所述金属测试线两端的电阻值；

根据所述输入电流和所述电阻值，获得所述金属测试线的电迁移。

7.根据权利要求6所述的一种半导体电迁移测试方法，其特征在于，所述电迁移测试方法还包括：预设若干相同工艺下的不同线宽的所述金属测试线，使得所述金属测试线的线宽及所述多路比例电流源的输入电阻符合以下公式：

；

其中，W₁~W_n为对应所述金属测试线的宽度， R_e1～R_en为所述多路比例电流源中对应晶体管的发射极电阻。

8.根据权利要求6所述的一种半导体电迁移测试方法，其特征在于，检测每个所述金属测试线两端的电阻值包括：

预设金属测试线两端的阈值；

通过所述焊盘，对所述焊盘相对应的所述金属测试线两端的电阻值进行实时监控，记录所述金属测试线的电迁移情况；

判断所述金属测试线的电阻值是否符合阈值，若所述金属测试线的电阻值符合阈值，则所述金属测试线失效，若所述金属测试线的电阻值不符合阈值，则所述金属测试线有效。

9.根据权利要求6所述的一种半导体电迁移测试方法，其特征在于，所述多路比例电流源的输入电阻及所述金属测试线的输入电流对应的符合以下公式：

其中，I₁~I_n为所述多路比例电流源的各路输出电流及相对应所述金属测试线的输入电流，R_e，Re1～Ren为所述多路比例电流源中对应晶体管的发射极电阻，I_R为所述多路比例电流源的输入电流。

10.根据权利要求7所述的一种半导体电迁移测试方法，其特征在于，所述金属测试线的线宽及所述金属测试线的输入电流在各个所述金属测试线的电流密度相同的条件下符合以下公式：

其中，I₁~I_n为对应所述金属测试线的输入电流，W₁~W_n为对应所述金属测试线的宽度，J_stress为所有所述金属测试线的测试电流密度。