[发明专利]一种源漏双掺杂可重构场效应晶体管

权利要求书

1.一种源漏双掺杂可重构场效应晶体管，其特征在于，它包括：

鳍型沟道（1）；

对称设于与鳍型沟道长度的两端面齐平且三面包裹鳍型沟道外侧的电学隔离边墙（2）；

设于与电学隔离边墙（2）接触、三面包裹鳍型沟道且对称分布的栅极氧化物（3）；

对称设置且三面包裹栅极氧化物（3）的控制栅极（4）和极性栅极（5）；

设于鳍型沟道左端具有三层结构的源端，所述三层结构：设于源端顶部的P型源端（6）、设于源端中间的源端绝缘层（7）及设于源端底部的N型源端（8）；

设于鳍型沟道右端具有三层结构的漏端，所述三层结构：设于漏端顶部的P型漏端（9）、设于源端中间的漏端绝缘层（10）及设于漏端底部的N型漏端（11）。

2.根据权利要求1所述的源漏双掺杂可重构场效应晶体管，其特征在于，所述鳍型沟道（1）为本征硅或轻掺杂的硅；

所述边墙（2）为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃；

所述栅极氧化物（3）为二氧化硅或二氧化铪；

所述控制栅极（4）和极性栅极（5）为光刻、刻蚀后形成的铝、铜、多晶硅或氮化钛；

所述P型源端（6）为重掺杂的P型硅，N型源端（8）为重掺杂的N型硅，源端绝缘层（7）为二氧化硅；

所述P型漏端（9）为重掺杂的P型硅，N型漏端（11）为重掺杂的N型硅，漏端绝缘层（10）为二氧化硅。