[发明专利]一种硅晶圆的包装方法有效

专利信息
申请号: 202110563296.8 申请日: 2021-05-24
公开(公告)号: CN113173285B 公开(公告)日: 2023-04-28
发明(设计)人: 张凤凤;张俊宝;宋洪伟;陈猛 申请(专利权)人: 上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司
主分类号: B65B31/00 分类号: B65B31/00;B65B51/14;B65B61/20;B65D30/02
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬
地址: 201616 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 硅晶圆 包装 方法
【权利要求书】:

1.一种硅晶圆的包装方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1:将片盒放置于第一包装袋内,所述片盒内承载有硅晶圆;

步骤S2:对所述第一包装袋抽真空,并对所述第一包装袋的开口进行压合,其中,所述第一包装袋内部的真空度为2KPa~20KPa;

步骤S3:将包装有所述片盒的所述第一包装袋放置于第二包装袋内;

步骤S4:对所述第二包装袋抽真空,并对所述第二包装袋的开口进行压合,其中,所述第二包装袋内部的真空度为2KPa~20KPa。

2.根据权利要求1所述的硅晶圆的包装方法,其特征在于,所述步骤S2中在对所述第一包装袋的开口进行压合之前还包括:

将所述第一包装袋的开口处的两层所述第一包装袋完全重叠。

3.根据权利要求1所述的硅晶圆的包装方法,其特征在于,所述步骤S4中在对所述第二包装袋的开口进行压合之前还包括:

将所述第二包装袋的开口处的两层所述第二包装袋完全重叠。

4.根据权利要求1所述的硅晶圆的包装方法,其特征在于,在所述步骤S2中对所述第一包装袋进行压合时的具体参数包括:第一加热温度T1=160℃~170℃,第一保温时间t1=0.8s~1.2s,第一冷却温度T2=70℃~80℃。

5.根据权利要求1所述的硅晶圆的包装方法,其特征在于,在所述步骤S4中对所述第二包装袋进行压合时的具体参数包括:第二加热温度T3=160℃~170℃,第二保温时间t2=0.8s~1.2s,第二冷却温度T4=70℃~80℃。

6.根据权利要求1所述的硅晶圆的包装方法,其特征在于,在所述步骤S3和所述步骤S4之间还包括:

步骤S3ˊ:在所述第二包装袋内放入干燥剂。

7.根据权利要求6所述的硅晶圆的包装方法,其特征在于,所述干燥剂采用二氧化硅材质制成。

8.根据权利要求1所述的硅晶圆的包装方法,其特征在于,在所述步骤S4之后还包括:

步骤S5:在所述第二包装袋上粘贴条形码。

9.根据权利要求1-8任一项所述的硅晶圆的包装方法,其特征在于,所述第一包装袋采用聚乙烯材质制成。

10.根据权利要求1-8任一项所述的硅晶圆的包装方法,其特征在于,所述第二包装袋采用铝箔材质制成。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司,未经上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110563296.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top