[发明专利]具有高激子利用率的ESIPT发光材料及其制备方法与应用

权利要求书

1.具有高激子利用率的ESIPT发光材料，其特征在于：所述具有高激子利用率的ESIPT发光材料为HDAPD-1和HDAPD-2，化合物分子结构式如下：

2.权利要求1所述具有高激子利用率的ESIPT发光材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.制备中间体A；

S2.使用中间体A与中间体B，通过铃木(SUZUKI)偶联反应制备发光材料HDAPD-1；

S3.使用中间体A与中间体C，通过SUZUKI偶联反应制备发光材料HDAPD-2；

3.权利要求1所述具有高激子利用率的ESIPT发光材料在OLED中的应用，其特征在于：所述OLED为单分子黄光高效OLED器件，所述单分子黄光OLED器件包括一有机发光层，所述有机发光层的材料为具有高激子利用率的ESIPT发光材料HDAPD-1与主体材料CBP掺杂，所述OLED器件由下至上依次为基片、阳极层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极层；

4.权利要求1所述具有高激子利用率的ESIPT发光材料在OLED中的应用，其特征在于：所述OLED为单分子白光高效OLED器件，所述单分子白光OLED器件包括一有机发光层，所述有机发光层的材料为具有高激子利用率的ESIPT发光材料HDAPD-2与主体材料CBP掺杂，所述OLED器件由下至上依次为基片、阳极层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极层；

5.权利要求1所述具有高激子利用率的ESIPT发光材料在OLED中的应用，其特征在于：所述OLED为色度可调的非能量传递型高效白光OLED器件，所述色度可调的非能量传递型高效白光OLED器件包括一层有机发光层，所述有机发光层为有机电致发光材料HDAPD-1及经典的高效蓝光TADF材料DMAC-DPS，且两个材料之间不能发生能量传递作用，所述OLED器件为上下叠合的多层结构，所述OLED器件由下至上依次为基片、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极层；

6.根据权利要求3-5任一所述的具有高激子利用率的ESIPT发光材料在OLED中的应用，其特征在于：所述基片的材料为玻璃或柔性塑料，所述阳极层的材料为无机材料，所述无机材料为氧化铟锡或氧化铟锌二者中的任意一种；所述空穴阻挡层的材料为TPBi；所述空穴阻挡层的厚度为5nm～15nm；所述电子传输层的材料为TmPyPb；所述电子传输层的厚度为10nm～50nm；所述电子注入层的材料为LiF；所述电子注入层的厚度为0.5nm～3nm；所述阴极层的材料为金、银、铜、铝、镁中的任意一种；所述阴极层的厚度为100nm～200nm

7.根据权利要求5所述的具有高激子利用率的ESIPT发光材料在OLED中的应用，其特征在于：所述空穴注入层的材料为MoO₃；所述电子注入层的厚度为0.5nm～5nm，所述有机发光层材料为具有高激子利用率的ESIPT发光材料以及DMAC-DPS组成的混合物，所述具有高激子利用率的ESIPT发光材料CBP二者的质量比为0.05～0.25；所述有机发光层的厚度为10nm～40nm。

8.根据权利要求3-5任一所述的具有高激子利用率的ESIPT发光材料在OLED中的应用，其特征在于：所述空穴传输层的材料为TAPC；所述空穴传输层的厚度为10nm～50nm；所述电子阻挡层的材料为TCTA；所述电子阻挡层的厚度为5nm～15nm；

9.根据权利要求3或4所述的具有高激子利用率的ESIPT发光材料在OLED中的应用，其特征在于：所述有机发光层材料为具有高激子利用率的ESIPT发光材料以及CBP组成的混合物，所述具有高激子利用率的ESIPT发光材料与CBP二者的质量比为0.05～0.25；所述有机发光层的厚度为10nm～40nm。