[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法、显示装置、照明设备在审

专利信息
申请号: 202110565087.7 申请日: 2021-05-24
公开(公告)号: CN113299842A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 温向敏;樊星;高昊;王艳明;李旭 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 王迪
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电致发光 器件 及其 制备 方法 显示装置 照明设备
【权利要求书】:

1.一种电致发光器件,其特征在于,所述电致发光器件包括:叠层设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极;

所述空穴传输层包括至少两种空穴传输材料,不同种所述空穴传输材料的最高占据分子轨道能级不相同,且在所述阳极指向所述发光层的方向上所述空穴传输层的最高占据分子轨道能级逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层包括:第一空穴传输材料和第二空穴传输材料;

所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级大于所述第二空穴传输材料的最高占据分子轨道能级;

在所述阳极指向所述发光层的方向上,所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料的比例逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一空穴传输材料在所述空穴传输层靠近所述阳极一侧的表面的百分比,大于所述第一空穴传输材料在所述空穴传输层背离所述阳极一侧的表面的百分比。

4.根据权利要求3所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的厚度大于等于90纳米且小于等于120纳米;

所述第一空穴传输材料的百分比大于所述第二空穴传输材料的百分比的所述空穴传输层的厚度范围大于等于40纳米且小于等于65纳米;

所述第一空穴传输材料的百分比小于所述第二空穴传输材料的百分比的所述空穴传输层的厚度范围大于等于40纳米且小于等于65纳米。

5.根据权利要求3所述的电致发光器件,其特征在于,所述第一空穴传输材料在所述空穴传输层靠近所述阳极一侧的表面的百分比大于等于90%且小于等于100%;

所述第一空穴传输材料在所述空穴传输层背离所述阳极一侧的表面的百分比大于等于5%且小于等于30%。

6.根据权利要求5所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层靠近所述阳极一侧的表面的厚度占所述空穴传输层总厚度的5%的区域,所述第一空穴传输材料的百分比大于等于90%且小于等于100%;

所述空穴传输层背离所述阳极一侧的表面的厚度占所述空穴传输层总厚度的5%的区域,所述第一空穴传输材料的百分比大于等于5%且小于等于30%。

7.根据权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层靠近所述阳极一侧的表面的最高占据分子轨道能级等于所述阳极的最高占据分子轨道能级。

8.根据权利要求2所述的电致发光器件,其特征在于,所述电致发光器件还包括位于所述空穴传输层和所述发光层之间的空穴缓冲层;

所述空穴传输层靠近所述空穴缓冲层一侧的表面的最高占据分子轨道能级等于所述空穴缓冲层的最高占据分子轨道能级。

9.根据权利要求2~8任一项所述的电致发光器件,其特征在于,在所述阳极指向所述发光层的方向上,所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料的比例呈直线型逐渐减小。

10.一种电致发光器件的制备方法,其特征在于,所述方法包括:

提供衬底;

在所述衬底上形成叠层设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极;其中,所述空穴传输层包括至少两种空穴传输材料,不同种所述空穴传输材料的最高占据分子轨道能级不相同,且在所述阳极指向所述发光层的方向上所述空穴传输层的最高占据分子轨道能级逐渐减小。

11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于,所述空穴传输层包括:第一空穴传输材料和第二空穴传输材料,形成所述空穴传输层具体包括:

采用点源蒸镀工艺,调节所述第一空穴传输材料的点源的蒸镀速率逐渐减小,以及调节所述第二空穴传输材料的点源的蒸镀速率逐渐增大,以使在所述阳极指向所述发光层的方向上,所述第一空穴传输材料和所述第二空穴传输材料的比例逐渐减小。

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