[发明专利]填充材料及制备方法、高延展性低轮廓电解铜箔制造方法

说明书

本发明属于添加剂分解产物去除技术领域，具体涉及一种填充材料及制备方法、高延展性低轮廓电解铜箔制造方法。本填充材料包括：ZrCl₄：2.5g；印迹分子：0.25‑25g；DMF：568.8g；BDC：1g；PC：1.25‑25g。本填充材料的制备方法包括：ZrCl₄和印迹分子于容器中形成反应物；反应物中加入DMF超声溶解形成反应溶液；反应溶液中加入BDC超声溶解；PC浸渍于反应溶液中搅拌；通过水热法处理反应溶液去除添加剂分解产物分子，制备印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料。本发明可有效对添加剂分解产物选择性吸附，达到有效去除添加剂分解产物、使铜的电沉积薄膜中不混入分解产物、实现电流在阴极和阳极上均匀分布、提高电解铜箔品质以及制备高延展性低轮廓电解铜箔的效果。

技术领域

本发明属于添加剂分解产物去除技术领域，具体涉及一种填充材料及制备方法、高延展性低轮廓电解铜箔制造方法。

背景技术

铜箔作为线路板中电子与信号传导通道的载体，是印制线路板(PCB)制造中最重要原料之一，随着5G的兴起，伴随着传输信号频率的增大，高频信号在传输线的铜箔表面产生的“趋肤效应”越来越显著，当传输信号为5G时，其信号在导线表面的传输厚度为0.93μm左右，也就是说信号传输仅在粗糙度的厚度范围内进行，那么必然产生严重的信号“驻波”和“反射”等，使信号造成损失，甚至形成严重或完全失真。铜箔表面越粗糙，信号损耗随之增大。因此，随着5G技术的普及以及信号传输不断向高频发展，适用于高频PCB的表面低粗糙度的低轮廓电解铜箔逐渐被人们所关注。

为了制备低轮廓电解铜箔，需要在铜电沉积溶液中加入添加剂(光亮剂和整平剂)。然而，伴随着铜电沉积的进行，一些添加剂会因氧化而分解。另外，一般电沉积温度均高于50℃，在此温度下，难免会发生添加剂在经过生箔机槽体后，一部分被氧化分解。这些添加剂分解产物对于铜的电沉积不仅没有帮助，伴随着铜的电沉积，会夹杂进入铜的沉积层中，反而还会影响电解铜箔的品质，如会降低铜箔的延展性和抗拉强度等，必须及时除去。所以，目前现行工艺，在电解液循环过程中，会在管路中添加活性炭，以便去除添加剂分解产物。但是，活性炭对有机物的去除是没有选择性的，活性炭不仅去除了添加剂分解产物，同时也去除了添加剂，由此造成添加剂和活性炭的大量浪费。

发明内容

本发明的目的是提供一种填充材料及制备方法、高延展性低轮廓电解铜箔制造方法，以解决在高延展性低轮廓电解铜箔生产工艺中，有效去除铜电解液中的添加剂分解产物、提高电解铜箔的延展性和降低铜箔的粗糙度的技术问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供了填充材料，包括以下原料：

ZrCl4：2.5g；

印迹分子：0.25-25g；

N’N-二甲基甲酰胺(DMF)：568.8g；

2-氨基对苯二甲酸(BDC)：1g；

多孔陶瓷(PC)：1.25-25g。

又一方面，本发明还提供了填充材料的制备方法，包括：

步骤S01：将氯化锆(ZrCl₄)和印迹分子于容器中形成反应物；

步骤S02：在反应物中加入N’N-二甲基甲酰胺(DMF)并超声溶解形成反应溶液；

步骤S03：在反应溶液中加入2-氨基对苯二甲酸(BDC)并超声溶解；

步骤S04：将多孔陶瓷(PC)浸渍于反应溶液中并搅拌；

步骤S05：采用水热法处理反应溶液，去除添加剂分解产物分子、制备晶体状的印迹有添加剂分解产物分子铸型结构的填充材料(MI-Zr-MOFs/PC)。

进一步，所述步骤S05包括：