[发明专利]一种二维材料光控逻辑门

权利要求书

1.一种二维材料光控逻辑门，其特征在于，所述逻辑门包括第一衬底和第二衬底，所述第一衬底上集成有第一光敏层、第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极；所述第二衬底上集成有第二光敏层、第五电极以及第六电极；其中，所述第一光敏层和所述第二光敏层均由二维光敏材料制成；

所述第一衬底、第一光敏层、第一电极和第二电极构成第一光电晶体管；所述第一衬底、第一光敏层、第二电极和第三电极构成第二光电晶体管；所述第一衬底、第一光敏层、第三电极和第四电极构成第三光电晶体管；所述第二衬底、第二光敏层、第五电极和第六电极构成第四光电晶体管；

所述第一衬底用作所述第一光电晶体管、第二光电晶体管和第三光电晶体管的栅极，所述第一光敏层用作所述第一光电晶体管、第二光电晶体管和第三光电晶体管的沟道；所述第一电极和第二电极分别用作第一光电晶体管的源极和漏极；所述第二电极和第三电极分别用作第二光电晶体管的源极和漏极；所述第三电极和第四电极分别用作第三光电晶体管的源极和漏极；所述第二衬底用作所述第四光电晶体管的栅极，所述第二光敏层用作所述第四光电晶体管的沟道，所述第五电极和第六电极分别用作第四光电晶体管的源极和漏极；

所述第一光电晶体管、所述第二光电晶体管以及所述第三光电晶体管串联连接；所述第三光电晶体管与所述第四光电晶体管并联连接。

2.如权利要求1所述的二维材料光控逻辑门，其特征在于，所述第一光电晶体管、第二光电晶体管、第三光电晶体管以及第四光电晶体管的沟道宽度分别为2μm-3μm。

3.如权利要求1所述的二维材料光控逻辑门，其特征在于，所述第三电极与所述第六电极，以及所述第四电极与所述第五电极分别通过连接导线连接。

4.如权利要求3所述的二维材料光控逻辑门，其特征在于，所述连接导线为金金属导线。

5.如权利要求1所述的二维材料光控逻辑门，其特征在于，所述第一光敏层和所述第二光敏层的厚度分别为3nm-30nm，长度分别为20-30μm。

6.如权利要求1所述的二维材料光控逻辑门，其特征在于，所述第一衬底最下面一层为硅，在硅上面有一层二氧化硅。

7.如权利要求6所述的二维材料光控逻辑门，其特征在于，所述第二衬底最下面一层为硅，在硅上面有一层二氧化硅。

8.如权利要求1所述的二维材料光控逻辑门，其特征在于，所述第一电极、第二电极、第三电极、第四电极、第五电极以及第六电极均为金金属电极。