[发明专利]显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底基板；

第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一有源层包含硅；所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含氧化物半导体，所述第二栅极位于所述第二有源层背离所述衬底基板的一侧；

第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第二栅极背离所述衬底基板的一侧，所述第一绝缘层包含无机材料；

平坦层，所述平坦层位于所述第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧，所述平坦层包含有机材料；其中，

所述第一绝缘层包含第一子绝缘层、第二子绝缘层和第三子绝缘层，所述第二子绝缘层位于所述第一子绝缘层背离所述衬底基板的一侧，所述第三子绝缘层位于所述第一子绝缘层与所述第二子绝缘层之间；

所述第二子绝缘层的致密度大于所述第一子绝缘层的致密度；

所述第三子绝缘层的致密度大于所述第二子绝缘层的致密度；

所述第三子绝缘层的致密度与所述第二子绝缘层的致密度之差小于所述第三子绝缘层的致密度与所述第一子绝缘层的致密度之差。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一子绝缘层的材料包括SiO_x1，所述第二子绝缘层的材料包括SiN_y11，x1为所述第一子绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，y11为所述第二子绝缘层中的氮原子数量与硅原子数量之比；其中，

x1＞y11。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一子绝缘层的材料包括SiO_x1，所述第二子绝缘层的材料包括SiO_x12N_y12，x1为所述第一子绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，x12为所述第二子绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，y12为所述第二子绝缘层中的氮原子数量与硅原子数量之比；其中，

x1＞x12+y12。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

所述第一子绝缘层与所述第二子绝缘层接触，所述第二子绝缘层中，靠近所述第一子绝缘层一侧的氧原子浓度大于背离所述第一子绝缘层一侧的氧原子的浓度。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一子绝缘层的材料包括SiO_x1，所述第二子绝缘层的材料包括MO_a11，x1为所述第一子绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，a11为所述第二子绝缘层中的氧原子数量与M原子数量之比；其中，

M为Al、Zr、Ti、Ta、Y、Nb、Mg、Ce元素中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一子绝缘层的厚度大于所述第二子绝缘层的厚度。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一子绝缘层的材料包括SiO_x1，所述第二子绝缘层的材料包括SiN_y21，所述第三子绝缘层的材料包括SiO_x22N_y22，x1为所述第一子绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，y21为所述第二子绝缘层中的氮原子数量与硅原子数量之比，x22为所述第三子绝缘层中的氧原子数量与硅原子数量之比，y22为所述第三子绝缘层中的氮原子数量与硅原子数量之比；其中，

x1＞x22+y22，和/或，x22+y22≥y21。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第一子绝缘层的材料包括SiO_x1，所述第二子绝缘层的材料包括SiN_y21，所述第三子绝缘层的材料包括MO_a21，M为Al、Zr、Ti、Ta、Y、Nb、Mg、Ce元素中的至少一者。