[发明专利]一种单轴隧道磁阻电流测量方法有效
申请号: | 202110569435.8 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN113325343B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 向念文;王仕刚;赵军;章海斌;张纯;晏松;张晨晨;李科杰;施雯;刘鑫;张驰;程慧敏;马凯;李萌萌;王书来;杜雨晨;叶寿洪;杨英;袁晨晨;杨翠玲;王超群;李伟 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学;国网安徽省电力有限公司检修分公司;中国电力科学研究院有限公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09 |
代理公司: | 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 | 代理人: | 王挺 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 隧道 磁阻 电流 测量方法 | ||
1.一种单轴隧道磁阻电流测量方法,应用于电流测量,本测量方法涉及的装置包括一个PCB板,在PCB板的中部设有中心孔,所述中心孔用于待测载流导体穿过;
其特征在于,所述PCB板上非均匀布设多个隧道磁阻传感器,所述测量方法通过确定多个隧道磁阻传感器在PCB板上的安装位置,完成圆形隧道磁阻传感器阵列的安装,并进行待测导体电流的测量,包括以下步骤:
步骤1,设定在PCB板上以中心孔的圆心O为圆心、以R为半径作一个圆Z,然后将n个隧道磁阻传感器布设安装在圆Z的圆周上,组成一个圆形隧道磁阻传感器阵列E;将该圆形隧道磁阻传感器阵列E中的任意一个隧道磁阻传感器记为隧道磁阻传感器k,k=1,2...n,n为正整数,3≤n≤8;
步骤2,将圆形隧道磁阻传感器阵列E对应的圆形路径作为闭合的磁感应强度积分路径,并按照高斯-勒让德积分方法确定每个隧道磁阻传感器在圆形路径上的位置及隧道磁阻传感器的敏感轴位置,具体做法如下:
以圆心O为坐标原点建立直角坐标系,并将隧道磁阻传感器k的安装位置简化为安装点Pk,k=1,2...n;
从安装点Pk向圆心O做直线L1,并将直线L1与X轴正方向的夹角的弧度记为隧道磁阻传感器k的传感器弧度θk,k=1,2...n;
设定隧道磁阻传感器k的敏感轴的方向为逆时针方向,以安装点Pk为端点向X轴正方向作一与X轴平行或重合的射线L2、以安装点Pk为端点沿隧道磁阻传感器k的敏感轴方向作一射线L3,并将射线L3与射线L2所成夹角的弧度记为隧道磁阻传感器k的敏感轴弧度γk,k=1,2...n;
传感器弧度θk和敏感轴弧度γk的表达式分别如下:
θk=(tk+1)π
γk=(tk+1.5)π
式中,tk为求积节点,k=1,2...n,其具体数值通过高斯-勒让德积分公式的求积节点与求积系数表查取得到;
隧道磁阻传感器k的安装点Pk的X轴坐标为Rcosθk、Y轴坐标为Rsinθk,k=1,2...n;
步骤3,将n个隧道磁阻传感器按照步骤2得到的数据进行安装,在PCB板上组成圆形隧道磁阻传感器阵列E;
步骤4,设定测量时待测载流导体穿过PCB板中心孔的圆心O,且与圆形隧道磁阻传感器阵列E所在平面垂直,基于安培环路定理建立待测电流值I与圆形隧道磁阻传感器阵列E之间的高斯-勒让德求积方程,表达式如下:
其中,
Ak为求积系数,k=1,2...n,具体数值通过高斯-勒让德积分公式的求积节点与求积系数表查取得到;μ为真空磁导率;为隧道磁阻传感器k处的磁场矢量;为单位矢量,
将隧道磁阻传感器k处的磁场矢量在单位矢量方向上的投影值记为Bk,k=1,2...n;设定隧道磁阻传感器k的敏感轴方向与单位矢量的方向保持一致,Bk即为隧道磁阻传感器k测得的磁场值;
步骤5,将待测载流导体穿过PCB板中心孔的圆心O,且与圆形隧道磁阻传感器阵列E所在平面垂直,实施测量得到n个磁场值Bk,对该n个磁场值Bk按照下式进行计算获得待测电流值I,
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥工业大学;国网安徽省电力有限公司检修分公司;中国电力科学研究院有限公司,未经合肥工业大学;国网安徽省电力有限公司检修分公司;中国电力科学研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110569435.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。