[发明专利]一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉

权利要求书

1.一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：包括炉门(1)、炉体(4)、进气管(7)、出气管(8)和隔热部，所述炉体(4)一侧开口，所述炉门(1)安装在所述炉体(4)的开口处，所述炉门(1)一端与所述炉体(4)铰接，所述进气管(7)和所述出气管(8)分别与所述炉体(4)连通，所述进气管(7)至少为两个，所述炉体(4)内靠近炉门(1)一侧活动设置有所述隔热部。

2.根据权利要求1所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：所述隔热部为隔热板(3)，所述隔热板(3)中间开设有通孔(31)，所述隔热板(3)外边缘与所述炉体(4)内壁贴合。

3.根据权利要求2所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：还包括连接杆(2)和止挡部(41)，所述连接杆(2)的一端与所述炉门(1)固定连接，所述炉门(1)上端与所述炉体(4)铰接，所述连接杆(2)的另一端与所述隔热板(3)固定连接，所述炉体(4)内壁下侧向上凸起形成止挡部(41)，所述止挡部(41)包括结合面(411)和止挡面(412)，所述结合面(411)与所述隔热板(3)下边缘抵接，所述止挡面(412)与所述隔热板(3)侧面抵接，用以限制所述隔热板(3)向远离炉门(1)一侧移动。

4.根据权利要求3所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：所述出气管(8)与所述炉体(4)下端连通，所述出气管(8)设置在所述炉门(1)与所述隔热板(3)之间。

5.根据权利要求3所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：所述炉体(4)远离炉门(1)的端面设置两个所述进气管(7)，两个所述进气管(7)相对于所述炉体(4)轴心对称布置。

6.根据权利要求5所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：还包括分流结构(6)，设置于远离炉门(1)侧，所述分流结构(6)将所述炉体(4)逐级分隔成多个腔室。

7.根据权利要求6所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：所述分流结构(6)包括固定杆(61)和多个分流板，多个所述分流板均平行布置，并与所述固定杆(61)垂直固定连接，所述固定杆(61)两端与所述炉体(4)固定连接，所述分流板侧边与所述炉体(4)侧壁固定连接。

8.根据权利要求7所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：多个所述分流板包括一块第一分流板(62)、两块第二分流板(63)、四块第三分流板(64)，多个所述分流板靠近炉门(1)的一端对齐设置，所述第二分流板(63)的长度介于所述第一分流板(62)的长度与所述第三分流板(64)的长度之间，所述第三分流板(64)的长度小于第二分流板(63)所述的长度，所述第一分流板(62)设置在所述炉体(4)轴线上，两块所述第二分流板(63)分别设置在两个所述进气管(7)轴线上，所述第三分流板(64)设置在每个所述第二分流板(63)相邻两侧，多个所述分流板之间的间距相等。

9.根据权利要求6所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：还包括引流板(5)，固定设置在炉体(4)内壁中段上方。

10.根据权利要求1至9任一项所述的一种可提升硅片方阻均匀性的扩散炉，其特征在于：所述炉体(4)内壁固定设置有石英反应管(9)。