[发明专利]一种衍射型硅光加速度传感器

权利要求书

1.一种衍射型硅光加速度传感器，其特征在于，包括：

基底硅基材料（1），中间具有空腔；

固定锚（2），位于基底硅基材料（1）顶部；

波导块（4），与光纤（9）连接，作为光纤（9）发出或者接收光线的通路；

质量块（3），位于空腔内，四角通过弹性连接结构（7）与固定锚（2）连接，所述质量块（3）的振动敏感方向与所述波导块（4）引入和引出的光线方向平行；

布拉格反射镜阵列（5），设置于基底硅基材料（1）上，为间隙设置的一排具有空腔的凸起；

布拉格反射镜（6），成型于所述质量块（3）顶部，为中间具有空腔的凸起；

所述光纤（9）的入射光纤能够发出光线经过波导块（4）后一部分被布拉格反射镜阵列（5）反射，另一部分光线从布拉格反射镜阵列（5）的间隙穿过被布拉格反射镜（6）反射，两部分被反射的光线叠加后经波导块（4）以及光纤（9）的出射光纤所收集。

2.根据权利要求1所述的衍射型硅光加速度传感器，其特征在于，所述固定锚（2）为成型在基底硅基材料（1）顶部四角的凸块。

3.根据权利要求1所述的衍射型硅光加速度传感器，其特征在于，所述弹性连接结构（7）为弹簧形，且4个所述弹性连接结构（7）呈中心对称设置，中心对称点与质量块（3）的质心共点。

4.根据权利要求3所述的衍射型硅光加速度传感器，其特征在于，4个所述弹性连接结构（7）与所述固定锚（2）的连接点组成第一矩形四个顶点，4个所述弹性连接结构（7）与所述质量块（3）的连接点组成第二矩形四个顶点，所述第一矩形大于第二矩形。

5.根据权利要求4所述的衍射型硅光加速度传感器，其特征在于，所述第一矩形的第二矩形的对角线共线，且相交于质量块（3）的质心。

6.根据权利要求4所述的衍射型硅光加速度传感器，其特征在于，所述波导块（4）位于两个固定锚（2）之间的开口处。

7.根据权利要求1所述的衍射型硅光加速度传感器，其特征在于，所述光纤（9）、波导块（4）、布拉格反射镜阵列（5）为两组，且分别位于质量块（3）的两侧，所述布拉格反射镜（6）也为两个，分别成型于所述质量块（3）的两侧。

8.根据权利要求1-7任一项所述的衍射型硅光加速度传感器，其特征在于，所述衍射型硅光加速度传感器使用SOI晶片通过MEMS工艺制备得到。