[发明专利]围坝层的抛光方法及围坝和陶瓷基板在审
申请号: | 202110570762.5 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113380633A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 陈文阳;罗玉杰;于正国 | 申请(专利权)人: | 赛创电气(铜陵)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;B24B29/02;B24B49/00;H01L23/02;H01L23/15 |
代理公司: | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186 | 代理人: | 吴晨亮 |
地址: | 244000 安徽省铜陵*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 围坝层 抛光 方法 陶瓷 | ||
1.围坝层的抛光方法,其特征是:包括以下步骤:对围坝层进行补充电镀,将补充电镀后的围坝层基板正面朝上,基板背面嵌入无蜡垫内,使用游星轮进行两次抛光,每次抛光的高速阶段转速为28rpm,得到整平效果合格的围坝层。
2.如权利要求1所述的围坝层的抛光方法,其特征是:所述补充电镀是手动电镀线,经过除油-微蚀-酸洗-电镀得到补充电镀后的围坝层。
3.如权利要求2所述的围坝层的抛光方法,其特征是:所述除油时间为4min,微蚀时间为90s,酸洗时间为90s,电镀时间为1h。
4.如权利要求2所述的围坝层的抛光方法,其特征是:所述电流密度2.5ASD。
5.如权利要求1所述的围坝层的抛光方法,其特征是:所述补充电镀的补镀铜厚为66um。
6.如权利要求1所述的围坝层的抛光方法,其特征是:所述每次抛光包括第一阶段、第二阶段、第三阶段、第四阶段、第五阶段、第六阶段、第七阶段和第八阶段,所述第一阶段和第八阶段压力为100kg,速度为8rpm,时间为10s;所述第二阶段和第七阶段压力为250kg,速度为15rpm,时间为10s;所述第三阶段和第六阶段压力为380kg,速度为25rpm,时间为10s;所述第四阶段和第五阶段压力为500kg,速度为28rpm,时间为70s。
7.如权利要求1所述的围坝层的抛光方法,其特征是:所述两次抛光中,第一次料号朝里,第二次料号朝外。
8.如权利要求1所述的围坝层的抛光方法,其特征是:所述无蜡垫厚度为1mm。
9.围坝,其特征是:由权利要求1-8任一所述的围坝层的抛光方法制备而成。
10.陶瓷基板,其特征是:所述陶瓷基板包括如权利要求9所述的围坝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造