[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

载置被处理体的电极；

偏置电源，其能够对所述电极以偏置频率供给偏置功率，所述偏置频率具有周期性的波形，在所述波形的一个周期中，第一半周期的波形与第二半周期的波形不同并且在过零点处切换；

生成源电源，其能够对所述电极以比所述偏置频率高的可变的生成源频率供给生成源功率；和

控制部，其控制所述生成源电源，以使得在所述偏置频率的所述波形的所述第一半周期中以第一生成源频率供给生成源功率，并且在所述偏置频率的所述波形的所述第二半周期中以第二生成源频率供给生成源功率。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述过零点是所述偏置频率的所述波形的所述周期的中间的中间过零点，

所述波形中，在所述波形的所述周期的起始部分具有起始过零点，在所述波形的所述周期的结束部分具有结束过零点。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还包括阻抗匹配电路，其设置在所述偏置电源与所述电极之间的供电路径、以及所述生成源电源与所述电极之间的供电路径上。

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部控制所述生成源电源以将所述生成源功率从所述第一生成源频率改变至所述波形的所述第二半周期，来协助所述阻抗匹配电路减少供给到所述电极的功率的反射。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述偏置频率的所述波形的频率在200kHz至13.56MHz的范围。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述偏置频率的所述波形的频率在200kHz至400kHz的范围。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述可变的生成源频率的最低频率为13.56MHz。

8.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还包括电压传感器，其能够检测所述阻抗匹配电路的输出电压。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述偏置电源以比所述生成源电源产生的所述生成源功率高的水平，产生所述偏置功率。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部进一步在所述第二半周期中改变所述第二生成源频率。

11.如权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于：

在所述第一半周期中将所述第一生成源频率保持为一定。

12.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部进一步在所述第二半周期的第一部分中提高所述第二生成源频率，并且在所述第二半周期的第二部分中降低所述第二生成源频率，其中，所述第二半周期的所述第二部分在时间上晚于所述第二半周期的所述第一部分。