[发明专利]一种可重构运算跨导放大器有效
申请号: | 202110571753.8 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113271073B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 廖轰;王科平 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 韩新城 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可重构 运算 放大器 | ||
1.可重构运算跨导放大器,其特征在于,包括NMOS管M17、NMOS管M18、PMOS管M19、PMOS管M20;NMOS管M17、NMOS管M18的源极通过开关S2相连,并分别由电阻RN1和电阻RN2相连到GNDA,PMOS管M19、PMOS管M20的源极通过开关S1相连,并分别由电阻RP1和电阻RP2相连到VDDA;NMOS管M17、PMOS管M19的栅极相连接正输入端VINP、漏极相连接共模反馈电路,NMOS管M18、PMOS管M20的栅极相连接负输入端VINN,漏极相连接到共模反馈电路;
所述共模反馈电路包括PMOS管M9-M14,NMOS管M15和M16,PMOS管M9-M12均处于饱和区,PMOS管M9和PMOS管M12的栅极分别连接差分输出VOUTP、VOUTN,PMOS管M10和PMOS管M11的栅极相连并接到输出共模电平VCM,PMOS管M9和PMOS管M12的漏极与NMOS管M16的栅、漏极相接,PMOS管M10和PMOS管M11的漏极与NMOS管M15的栅、漏极相接并且外接出VCMFB可与主电路相连,PMOS管M7和PMOS管M8的源极与PMOS管M13的漏极相连,PMOS管M9和PMOS管M10的源极和PMOS管M14的漏极相连,PMOS管M13和PMOS管M14的源极分别与电阻Rb4和电阻Rb5相连后连接到电源,PMOS管M13和PMOS管M14栅极与PTAT电流源电路的VB1端连接。
2.根据权利要求1所述可重构运算跨导放大器,其特征在于,所述PTAT电流源电路包括处于亚阈值区的NMOS管M1与NMOS管M2,处于饱和区的PMOS管M3和PMOS管M4,NMOS管M1栅极和NMOS管M2的栅极、漏极连接,NMOS管M2的源极和电阻Rb1连接后接地,NMOS管M1的源极接地,PMOS管M3和PMOS管M4的栅极短接,PMOS管M3和PMOS管M4的漏极分别和NMOS管M1和NMOS管M2的漏极短接作电流镜负载,PMOS管M3和PMOS管M4的源极相连后接电源;NMOS管M5的栅极与NMOS管M2的漏极相连,NMOS管M5的源极和电阻Rb2相连到地,NMOS管M5的漏极和PMOS管M6的栅极、漏极短接后接VB1端,PMOS管M6的源极和电阻Rb3相连到电源,NMOS管M5、PMOS管M6、电阻Rb2、电阻Rb3共同组成偏置电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110571753.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。