[发明专利]一种硅衬底化学机械抛光方法在审
| 申请号： | 202110571775.4 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113370001A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 孙韬;步峥峥;汪文君 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B37/00;B24B57/02 |
| 代理公司： | 上海唯智赢专利代理事务所(普通合伙) 31293 | 代理人： | 吴瑾瑜 |
| 地址： | 201620 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 化学 机械抛光 方法 | ||
1.一种硅衬底化学机械抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)使用含磨料粒子的抛光液对抛光垫进行激活处理，所述激活处理包括预抛光处理，所述预抛光处理是指使用含磨料粒子的抛光液对抛光垫进行抛光；
(2)将待加工工件置于激活处理后的抛光垫上方，使用不含磨料粒子的抛光液对待加工工件的表面进行抛光加工。
2.根据权利要求1所述的一种硅衬底化学机械抛光方法，其特征在于，所述磨料粒子为硅溶胶磨粒、四氮化三硅磨粒和氧化铈磨粒中的一种以上。
3.根据权利要求1所述的一种硅衬底化学机械抛光方法，其特征在于，所述磨料粒子的粒径为30～130nm；
所述含磨料粒子的抛光液中磨料粒子的质量百分比为2～40％。
4.根据权利要求1所述的一种硅衬底化学机械抛光方法，其特征在于，所述抛光垫为suba 800、suba600抛光垫或者阻尼布。
5.根据权利要求1所述的一种硅衬底化学机械抛光方法，其特征在于，所述预抛光处理及抛光加工是使用抛光机进行的，所述抛光机为sainko抛光机。
6.根据权利要求5所述的一种硅衬底化学机械抛光方法，其特征在于，所述抛光机包括磨盘和抛光头；
在进行预抛光处理及抛光加工时，磨盘和抛光头的转速相同或不同，为20～60rpm。
7.根据权利要求6所述的一种硅衬底化学机械抛光方法，其特征在于，在进行预抛光处理及抛光加工时，抛光液的流量相同或不同，为90～150mL/min，压力相同或不同，为129～239g/cm2。
8.根据权利要求1所述的一种硅衬底化学机械抛光方法，其特征在于，所述激活处理还包括预抛光处理后的清洗处理。
9.根据权利要求8所述的一种硅衬底化学机械抛光方法，其特征在于，所述清洗处理是指在清洗剂的冲洗下使用刷子刷洗抛光垫5～10min，。
10.根据权利要求1所述的一种硅衬底化学机械抛光方法，其特征在于，所述不含磨料粒子的抛光液为碳酸钾水溶液、碳酸氢钾水溶液或硅酸盐水溶液。
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