[发明专利]晶圆键合方法及晶圆键合设备

权利要求书

1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：

将静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附上晶圆，下晶圆固定在下卡盘，并将所述上晶圆和所述下晶圆对准；

将所述静电吸附卡盘的顶针下压所述上晶圆的中心区域，使所述上晶圆向下弯曲并与所述下晶圆的中心区域接触；

调整所述静电吸附力的大小，使所述上晶圆在其重力和所述静电吸附力作用下逐步脱离所述静电吸附卡盘，并与所述下晶圆键合。

2.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述顶针下压所述上晶圆的过程中，减小所述静电吸附力。

3.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，通过调整所述静电吸附卡盘的电源电压大小来调整所述静电吸附力的大小。

4.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，所述上晶圆向下弯曲的形变量范围20μm～50μm。

5.如权利要求1所述的晶圆键合方法，其特征在于，将所述静电吸附卡盘通过静电吸附力吸附所述上晶圆之前，还包括：通过所述静电吸附卡盘的装载针抓取所述上晶圆，并通过所述装载针调整所述上晶圆与所述静电吸附卡盘的相对位置。

6.一种晶圆键合设备，其特征在于，包括：

静电吸附卡盘，所述静电吸附卡盘对待键合的晶圆提供可调节的静电吸附力；

所述静电吸附卡盘包括介质层和嵌设在所述介质层中的电极层，所述电极层包括间隔设置的正电极层和负电极层，所述正电极层和负电极层分别连接电源的正极和负极；

所述静电吸附卡盘的中心区域为中性区域，不产生静电感应力。

7.如权利要求6所述的晶圆键合设备，其特征在于，所述正电极层和所述负电极层在平行于所述介质层的截面上呈镜像对称的半圆形环。

8.如权利要求6所述的晶圆键合设备，其特征在于，所述静电吸附卡盘还包括：顶针，所述顶针位于所述静电吸附卡盘的中心区域，所述顶针沿所述静电吸附卡盘的轴向穿过所述介质层。

9.如权利要求6所述的晶圆键合设备，其特征在于，所述静电吸附卡盘还包括：装载针，所述装载针上设置有真空孔，通过真空吸力吸附待键合的晶圆。

10.如权利要求9所述的晶圆键合设备，其特征在于，所述静电吸附卡盘还包括：装载孔，所述装载孔贯穿所述介质层，所述装载针位于所述装载孔中，并可在所述装载孔中移动。