[发明专利]晶体管

说明书

一种晶体管包括第一栅极电极、复合沟道层、第一栅极介电层以及源极/漏极接触件。复合沟道层在第一栅极电极上，且包括依序堆叠的第一覆盖层、结晶半导体氧化物层以及第二覆盖层。第一栅极介电层位于第一栅极电极与复合沟道层之间。源极/漏极接触件设置在复合沟道层上。

技术领域

本发明实施例涉及一种晶体管。更具体来说，本发明实施例涉及一种具有复合沟道层的晶体管。

背景技术

半导体集成电路(semiconductor integrated circuit,IC)产业已经历快速增长。IC材料和设计的技术进展已生产数代IC，其中每一代具有比前一代小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(即，每芯片区域中互连装置的数目)通常已增加，而几何大小(即，可使用制造工艺产生的最小组件或迹线)已减小。这种比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关联成本来提供效益。

发明内容

一种晶体管包括第一栅极电极、复合沟道层、第一栅极介电层以及源极/漏极接触件。所述复合沟道层在所述第一栅极电极上。所述复合沟道层包括依序堆叠的第一覆盖层、结晶半导体氧化物层以及第二覆盖层。所述第一栅极介电层位于所述第一栅极电极与所述复合沟道层之间。所述源极/漏极接触件设置在所述复合沟道层上。

附图说明

当结合附图阅读时从以下详细描述最好地理解本公开的各方面。应注意的是，根据业界中的标准惯例，各个特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各个特征的尺寸。

图1是根据本公开的一些实施例的集成电路的示意性剖视图。

图2A至图2J是图1中的第二晶体管的制造方法的各个阶段的俯视图。

图3A至图3J是图2A至图2J中的第二晶体管的制造方法的各个阶段的剖视图。

图4A是根据本公开的一些替代实施例的第二晶体管的俯视图。

图4B是图4A中的第二晶体管的剖视图。

图5A是根据本公开的一些替代实施例的第二晶体管的俯视图。

图5B是图5A中的第二晶体管的剖视图。

图6A是根据本公开的一些替代实施例的第二晶体管的俯视图。

图6B是图6A中的第二晶体管的剖视图。

图7A是根据本公开的一些替代实施例的第二晶体管的俯视图。

图7B是图7A中的第二晶体管的剖视图。

附图标号说明

20：衬底

30：互连结构

32、32A：导通孔

34：导电图案

36：介电层

40：存储单元

42：顶部电极

44：存储层

46：底部电极

50：钝化层

60：后钝化层

70：导电垫

80：导电端子

100：第一介电层

200、200A：栅极电极

300、300A：栅极介电层

400：复合沟道层