[发明专利]一种SiC MOSFET子模组单元及其压接型封装在审
| 申请号： | 202110572614.7 | 申请日： | 2021-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN113380879A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王来利;王海骅;马定坤;赵成 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/43;H01L23/367;H01L23/49;H01L25/065 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 李鹏威 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 模组 单元 及其 压接型 封装 | ||
1.一种SiC MOSFET子模组单元，其特征在于，包括：
DBC陶瓷基板(1)、源极钼片(2)、SiCMOSFET芯片阵列(3)以及漏极钼片(4)；
所述源极钼片(2)下表面对称设有N个第一凸起，所述第一凸起分别与N个SiCMOSFET芯片阵列(3)相连，并露出SiCMOSFET芯片阵列(3)的栅极(5)和部分源极(6)；
所述漏极钼片(4)上表面设置有N个用于连接和定位SiCMOSFET芯片阵列(3)的第二凸起，第二凸起与所述SiCMOSFET芯片阵列(3)的漏极相连；
所述SiCMOSFET芯片阵列(3)由N个SiCMOSFET芯片组成，露出的栅极(5)和源极(6)分别连接至DBC陶瓷基板(1)。
2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET子模组单元，其特征在于，所述第一凸起、第二凸起和SiCMOSFET芯片阵列(3)的数量均为4个、6个或8个。
3.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET子模组单元，其特征在于，所述第一凸起与SiCMOSFET芯片阵列(3)通过纳米银烧结相连。
4.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET子模组单元，其特征在于，所述第二凸起与SiCMOSFET芯片阵列(3)通过纳米银烧结相连。
5.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET子模组单元，其特征在于，所述栅极(5)和源极(6)通过键合线连接至DBC陶瓷基板(1)。
6.一种基于权利要求1-5任一项所述的SiC MOSFET子模组单元的压接型封装，其特征在于，包括：
源极端子(7)、外壳(8)、SiCMOSFET子模组单元(9)、漏极端子(10)；
所述源极端子(7)和漏极端子(10)的外沿通过外壳(8)连接；
所述源极端子(7)下侧设置有若干源极凸台(11)；
所述漏极端子(10)的上表面对应设置有若干漏极凸台(12)；
每个所述源极凸台(11)与对应的漏极凸台(12)之间设置有一个SiCMOSFET子模组单元(9)。
7.根据权利要求6所述的一种基于SiC MOSFET子模组单元的压接型封装，其特征在于，所述源极凸台(11)与所述SiCMOSFET子模组单元(9)内的源极钼片(2)上表面相连，所述漏极凸台(12)与所述SiCMOSFET子模组单元(9)内的漏极钼片(4)下表面相连。
8.根据权利要求6所述的一种基于SiC MOSFET子模组单元的压接型封装，其特征在于，所述漏极凸台(12)与漏极钼片(4)下表面通过纳米银烧结相连。
9.根据权利要求6所述的一种基于SiC MOSFET子模组单元的压接型封装，其特征在于，所述外壳(8)内在漏极端子(10)一侧填充有硅凝胶，硅凝胶覆盖住SiCMOSFET阵列(3)。
10.根据权利要求6所述的一种基于SiC MOSFET子模组单元的压接型封装，其特征在于，所述漏极凸台(12)间隙中设置有PCB基板，在PCB基板一侧设置辅助源极端子和栅极端子，辅助源极端子和栅极端子通过键合线连接到DBC陶瓷基板(1)。
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