[发明专利]一种耐低温防污闪的瓷绝缘子及其制作工艺

权利要求书

1.一种耐低温防污闪的瓷绝缘子，其特征在于，包括绝缘子本体和釉层，所述绝缘子本体包括以下重量份的原料：石英15~25份，姜冲泥15~25份，默然塘泥10~20份，左云土10~20份，硅灰石5~15份，湖北泥5~15份，聚合物包覆改性纳米粒子5~15份，氧化锆3~10份，硼酸3~10份，磷化硼1~5份，硅烷偶联剂1~5份，减水剂0.7~2份；所述釉层包括以下重量份的原料：石英12~20份，高岭土12~20份，氧化铝8~15份，硅酸锆5~10份，滑石粉5~10份，聚合物包覆改性纳米粒子2~8份，钛酸钡2~8份，氧化锌1~6份；所述聚合物包括聚酯和聚烯烃，所述聚烯烃的单体包括乙烯、丙烯、苯乙烯、氯乙烯中的一种或多种，所述改性纳米粒子的纳米粒子原料包括氧化石墨烯、纳米二氧化硅、纳米二氧化钛、纳米氧化镁、纳米氧化铝、纳米氧化锌、纳米水滑石、纳米氮化硅、纳米碳化硅、纳米氮化硼中的一种或多种，所述改性纳米粒子的改性处理剂包括硬脂酸盐、碳酸钙晶须、三羟甲基丙烷和硅烷偶联剂，所述硬脂酸盐包括硬脂酸钠、硬脂酸锌、硬脂酸钙中的一种或多种，所述硅烷偶联剂包括十二烷基硅烷、氨丙基三乙氧基硅烷、缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷、甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、硫基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三甲氧基硅烷和乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷中的一种或多种；所述减水剂中含有氨基酸离子液体，所述氨基酸离子液体的阴离子包括甘氨酸、丝氨酸、脯氨酸、丙氨酸、苯丙氨酸、谷氨酸、精氨酸中的一种或多种，阳离子包括咪唑类、季铵类、季磷类中的一种或多种。

2.根据权利要求1所述的一种耐低温防污闪的瓷绝缘子，其特征在于，所述聚合物包覆改性纳米粒子复合物中聚酯的含量为5~30wt%，改性纳米粒子的含量为1~18wt%，纳米粒子的粒径为50~800 nm。

3.根据权利要求1所述的一种耐低温防污闪的瓷绝缘子，其特征在于，所述减水剂包括以下重量份的原料：氨基酸离子液体5~20份，多甲叉膦酸盐5~20份，聚磷酸盐5~20份，有机酸盐5~20份，硅酸钠或偏硅酸钠5~20份，碳酸钠1~5份。

4.根据权利要求3所述的一种耐低温防污闪的瓷绝缘子，其特征在于，所述多甲叉膦酸盐包括氨基三甲叉膦酸盐、乙二胺四甲叉膦酸盐、二乙烯三胺五甲叉膦酸盐、N-2羟乙基-N-二甲叉膦酸盐、乙氧乙基二胺四甲叉膦酸盐、1 ,3-二胺-2-丙醇四甲叉膦酸盐、(2-羟基)乙氧基乙基胺二甲叉膦酸盐、哌嗪二甲叉膦酸盐、胺乙基哌嗪三甲叉膦酸盐、甘氨酸二甲叉膦酸盐、羟甲基甘氨酸二甲叉膦酸盐、谷氨酸二甲叉膦酸盐、甲酰氨基一甲叉膦酸盐、乙酰氨基一甲叉膦酸盐或脲基四甲叉膦酸盐中的一种或多种。

5.根据权利要求3所述的一种耐低温防污闪的瓷绝缘子，其特征在于，所述有机酸盐包括柠檬酸钠、葡萄糖酸钠、乳酸钠、醋酸钠、柠檬酸钾、葡萄糖酸钾、乳酸钾、醋酸钾、柠檬酸钙、葡萄糖酸钙、乳酸钙、醋酸钙、氨基酸螯合钙、L-苏糖酸钙中的一种或多种，所述聚磷酸盐包括钠盐或钾盐。