[发明专利]一种大功率无线充电用纳米晶导磁薄片及其制备方法

权利要求书

1.一种大功率无线充电用纳米晶导磁薄片，其特征在于：所述纳米晶导磁薄片的成分组成为Fe_{(100-y-z-α-β)}Cu_yNb_zSi_αB_β，其中0.7≤y≤1，1.3≤z≤2，4≤α≤14，7≤β≤10，且满足y+z+α+β+γ≤26；其饱和磁感应强度B_s为1.35~1.60T；

所述大功率无线充电用纳米晶导磁薄片通过如下方法制备得到：

（1）将成分组成为Fe_{(100-y-z-α-β)}Cu_yNb_zSi_αB_β的合金经单辊快淬法制备成初始状态为非晶态的合金薄带；

（2）将步骤（1）非晶态的合金薄带进行设定退火处理，得到单层纳米晶带材；

（3）将步骤（2）所得单层纳米晶带材进行或者不进行多层叠加，然后进行碎磁处理，再将碎磁处理后的单层或多层纳米晶带材进行或者不进行多层复合，得到所述大功率无线充电用纳米晶导磁薄片；

步骤（2）中所述设定退火处理为二次退火处理；

所述二次退火处理程序如下：以1~5℃/min的速度升温至合金薄带晶化起始温度以下0~50℃，在此温度T1保温10~60min，然后再以0.5~3℃/min的速度升温至晶化峰值温度以上，在此温度T2保温30~240min，再降温至200℃以下，然后再次以1~5℃/min的速度升温至合金薄带晶化起始温度以下0~50℃，在此温度T3保温10~60min，然后再以0.5~3℃/min的速度升温至晶化峰值温度以上，在此温度T4保温20~240min，再降温至200℃以下出炉，上述T3和T4分别比T1和T2高5~50℃。

2.一种大功率无线充电用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：

（1）将成分组成为Fe_{(100-y-z-α-β)}Cu_yNb_zSi_αB_β的合金经单辊快淬法制备成初始状态为非晶态的合金薄带；其中0.7≤y≤1，1.3≤z≤2，4≤α≤14，7≤β≤10，且满足x+y+z+α+β+γ≤26；

（2）将步骤（1）非晶态的合金薄带进行设定退火处理，得到饱和磁感应强度B_s＞1.24T的单层纳米晶带材；

（3）将步骤（2）所得单层纳米晶带材进行或者不进行多层叠加，然后进行碎磁处理，再将碎磁处理后的单层或多层纳米晶带材进行或者不进行多层复合，得到所述大功率无线充电用纳米晶导磁薄片；

步骤（2）中所述设定退火处理为二次退火处理；

所述二次退火处理程序如下：以1~5℃/min的速度升温至合金薄带晶化起始温度以下0~50℃，在此温度T1保温10~60min，然后再以0.5~3℃/min的速度升温至晶化峰值温度以上，在此温度T2保温30~240min，再降温至200℃以下，然后再次以1~5℃/min的速度升温至合金薄带晶化起始温度以下0~50℃，在此温度T3保温10~60min，然后再以0.5~3℃/min的速度升温至晶化峰值温度以上，在此温度T4保温20~240min，再降温至200℃以下出炉，上述T3和T4分别比T1和T2高5~50℃。

3.根据权利要求2所述的一种大功率无线充电用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所述非晶态的合金薄带的宽度为10~215mm，厚度为10~30μm。

4.根据权利要求2所述的一种大功率无线充电用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于：步骤（3）中碎磁处理前的单层纳米晶带材或多层叠加的纳米晶带材最外层采用双面覆胶进行保护，其中一面为双面胶，另一面为双面胶或者单面胶。

5.根据权利要求4所述的一种大功率无线充电用纳米晶导磁薄片的制备方法，其特征在于：步骤（3）中所述多层叠加的层数为2~4层，相邻两层纳米晶带材之间通过双面胶粘合固定。