[发明专利]零磁矢量场中常温π电子高导体及其制备方法

说明书

本发明公开了一种零磁矢量场中常温π电子高导体，包括两个结构完全相同的叠放设置的扁形常温π电子高导元；扁形常温π电子高导元由扁形导电励磁体和π电子平面励磁网叠放组成；扁形导电励磁体采用扁形导电体；π电子平面励磁网是以绝缘树脂胶为连续相，以拥有π电子元素的材料为分散相，且π电子在其规范场中受洛伦兹力和库仑力约束而排列有序并在扁形导电励磁体上固化形成的网状结构。本发明还公开了上述零磁矢量场中常温π电子高导体的制备方法。本发明提供的高导体常温导电率高，能够用于制备35000V以下低压配电的通电排、电机绕组、变压器绕组，能够以铝代铜节约用铜，实现降本增效，其市场前景广阔，经济价值巨大。

技术领域

本发明属于导体制备技术领域，涉及一种高导体，具体地说是一种零磁矢量场中常温π电子高导体及其制备方法。

背景技术

导体是指电阻率很小且易于传导电流的物质。导体中存在的大量可自由移动的带电粒子称为载流子。在外电场作用下，载流子作定向运动，形成明显的电流。

金属是最常见的一类导体。现在的生产生活中，人们常用的金属导体有铁、铜、铝等。一直以来，科学家们一直致力于降低导体电阻率的研究。

通常情况下，金属导体的电阻率随温度的升高而增大。

因此，想要降低金属导体的电阻率，就要以降低使用温度为代价，这对设备的使用环境要求较高，不仅会增加成本，而且会极大地缩小可适用的场所范围。

如果能够发明一种常温下电阻率明显小于现有金属导体的导电介质，将会极大地改变上述现状。

发明内容

本发明的目的，是要提供一种零磁矢量场中常温π电子高导体，其在常温条件下的导电率比铜金属提高2～200倍，比铝金属提高4～400倍；

本发明的另外一个目的，是要提供上述零磁矢量场中常温π电子高导体的一种制备方法。

本发明为实现上述目的，所采用的技术方案如下：

一种零磁矢量场中常温π电子高导体，它包括两个结构完全相同的叠放设置的扁形常温π电子高导元；

所述扁形常温π电子高导元由扁形导电励磁体和π电子平面励磁网叠放组成；

两个扁形常温π电子高导元设置π电子平面励磁网的一面通过粘接剂粘接；

所述扁形导电励磁体采用扁形导电体或扁形导电网；

所述π电子平面励磁网是以绝缘树脂胶为连续相，以拥有π电子元素的材料为分散相，且π电子在其规范场中受洛伦兹力和库仑力约束而排列有序并在扁形导电励磁体上固化形成的网状结构。

作为限定：所述拥有π电子元素的材料为碳元素的同素异形体，且其中的碳原子sp2轨道杂化或sp1轨道杂化。

作为第二种限定：所述扁形导电体是电负性相近的铝、铁、铜、镍，或铝、铁、铜、镍至少两种材料的合金或互镀导电的箔材、网材或带材。

作为第三种限定：所述粘接剂是绝缘树脂胶，π电子平面励磁网的网厚0.35nm～0.2mm，网纹为菱形、条形或三角形。

上述零磁矢量场中常温π电子高导体一种制备方法，其特征在于，按照以下步骤顺序进行：

一、令扁形导电体从通电的π电子约序导电励磁辊与表面附有π电子树脂胶的π电子平面励磁网纹辊之间通过，得到扁形常温π电子高导元；

其中，π电子树脂胶是由绝缘树脂胶和拥有π电子元素的材料混合而成的液溶胶；

在上述过程中，扁形导电体在π电子约序导电励磁辊的磁场的约束下形成扁形导电励磁体，同时，扁形导电励磁体使π电子树脂胶中的π电子在其规范场中受洛伦兹力和库仑力约束而排列有序并在扁形导电励磁体上固化成网状结构的π电子平面励磁网；