[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

栅电极，所述栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并且彼此间隔开；

层间绝缘层，所述层间绝缘层与所述栅电极交替堆叠在所述衬底上；

沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述栅电极；和

分隔区域，所述分隔区域在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

其中，每个所述栅电极包括顺序堆叠的第一导电层和第二导电层，所述第二导电层包括金属氮化物，并且

其中，所述第一导电层和所述第二导电层均与所述分隔区域物理接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层位于所述第二导电层的上表面、下表面和第一侧表面上，并且

所述第二导电层的第二侧表面与所述分隔区域物理接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层包括钨、钼和/或铜。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层包括氮化钛、氮化钽和/或氮化钨。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，每个所述栅电极还包括位于相应的所述层间绝缘层与所述第一导电层之间的阻挡金属层，

其中，所述阻挡金属层与所述分隔区域物理接触。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层具有相对于所述第一导电层朝向所述分隔区域突出的区域。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，每个所述栅电极还包括位于相应的所述层间绝缘层与所述第一导电层之间的阻挡金属层，

其中，所述阻挡金属层与所述分隔区域物理接触，并且所述阻挡金属层相对于所述第一导电层的与所述分隔区域接触的表面进一步朝向所述分隔区域突出。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述层间绝缘层相对于所述栅电极朝向所述分隔区域突出。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层在所述第一方向上的厚度在沿所述第一方向相邻的所述层间绝缘层之间的间隔的1％至30％的范围内。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层在所述第一方向上的厚度在沿所述第一方向相邻的所述层间绝缘层之间的间隔的10％至20％的范围内。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层在所述第一方向上的厚度在0.5nm至8nm的范围内。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电层在所述第一方向上的厚度在1nm至5nm的范围内。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电层的在相邻的所述层间绝缘层与所述第二导电层之间的在所述第一方向上的厚度是基本上均匀的，并且

所述第二导电层在所述第一方向上的厚度是基本上均匀的。

14.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

栅电极，所述栅电极在垂直于衬底的上表面的第一方向上堆叠并且彼此间隔开；

层间绝缘层，所述层间绝缘层与所述栅电极交替堆叠在所述衬底上；

沟道结构，所述沟道结构延伸穿过所述栅电极；和

分隔区域，所述分隔区域在所述第一方向上延伸穿过所述栅电极，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，

其中，每个所述栅电极包括顺序堆叠的第一导电层和第二导电层，

其中，所述第二导电层在所述第一方向上的厚度在沿所述第一方向相邻的所述层间绝缘层之间的间隔的1％至30％的范围内。