[发明专利]一种转接板制造方法和转接板在审
申请号: | 202110574088.8 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113299562A | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | 戴风伟;曹立强 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 薛异荣 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新吴区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 转接 制造 方法 | ||
本发明提供一种转接板制造方法和转接板。转接板制造方法包括以下步骤:提供制作基底,制作基底为硅基底;形成第一重布线层,在制作基底一侧形成第一重布线层;形成多个金属柱,在第一重布线层背向制作基底一侧形成多个金属柱,多个金属柱分别与第一重布线层中的第一金属互联结构电性接触;形成塑封层,在第一重布线层背向制作基底一侧形成塑封层,塑封层包覆多个金属柱,并暴露多个金属柱背向第一重布线层一侧的端面;形成第二重布线层,在塑封层背向第一重布线层一侧形成第二重布线层,多个金属柱分别与第二重布线层中的第二金属互联结构电性接触;去除制作基底。本发明的制造方法可制造具有高互联密度的重布线层的转接板。
技术领域
本发明涉及转接技术领域,具体涉及一种转接板制造方法和转接板。
背景技术
随着半导体工艺技术的发展,转接板被广泛应用于各种半导体电子装置中。通常转接板的制作为使用硅基基板或玻璃基板,在基板上形成通孔后在基板两侧进行布线,形成转接板。由于玻璃基板加工工艺较难,因此使用硅基基板较多。但是硅基基板射频和高频性能较差,难以满足射频和高频器件的应用需求。对此现有技术中提供一种使用树脂材料作为基板材料的转接板,但是,由于树脂材料作为基板,两侧的重布线层难以形成高互联密度的重布线层。因此需要一种方法,能够提供高互连密度的重布线层。
发明内容
因此本发明提供一种转接板制造方法和转接板,以解决现有技术的树脂材料基板转接板重布线层互联密度低的问题。
本发明提供一种转接板制造方法,包括以下步骤:提供制作基底,制作基底为硅基底;形成第一重布线层,在制作基底一侧形成第一重布线层;形成多个金属柱,在第一重布线层背向制作基底一侧形成多个金属柱,多个金属柱分别与第一重布线层中的第一金属互联结构电性接触;形成塑封层,在第一重布线层背向制作基底一侧形成塑封层,塑封层包覆多个金属柱,并暴露多个金属柱背向第一重布线层一侧的端面;形成第二重布线层,在塑封层背向第一重布线层一侧形成第二重布线层,多个金属柱分别与第二重布线层中的第二金属互联结构电性接触;去除制作基底。
可选的,本发明的转接板制造方法还包括:在形成第一重布线层的步骤之前,在制作基底一侧表面形成牺牲层;形成第一重布线层的步骤为:在牺牲层背向制作基底一侧表面形成第一重布线层。
可选的,去除制作基底的步骤为:去除牺牲层,使制作基底与第一重布线层分离。
可选的,形成第一重布线层的步骤中包括:形成凸块下金属层,在制作基底一侧形成凸块下金属层。
可选的,形成第一重布线层的步骤中还包括:形成第一金属互联结构和第一绝缘结构,第一金属互联结构与凸块下金属层电性接触;第一绝缘结构包覆凸块下金属层和第一金属互联结构。
可选的,形成塑封层的步骤包括:减薄塑封层,以使多个金属柱背向第一重布线层一侧的端面与塑封层背向第一重布线层一侧的表面齐平。
可选的,形成第二重布线层的步骤包括:形成第二金属互联结构和第二绝缘结构,在塑封层背向第一重布线层一侧表面形成第二金属互联结构和第二绝缘结构,第二金属互联结构与多个金属柱电性接触,第二绝缘结构包覆第二金属互联结构。
可选的,本发明的转接板制造方法还包括:形成焊球,在形成第二重布线层的步骤之后,在第二重布线层背向塑封层一侧形成多个焊球,多个焊球分别与第二重布线层中的第二金属互联结构电性接触。
可选的,本发明的转接板制造方法还包括:形成表面保护层,在去除制作基底后,在凸块下金属层背向塑封层一侧形成表面保护层,表面保护层与凸块下金属层电性接触。
本发明还提供一种转接板,使用本发明的转接板制造方法制造。
本发明的有益效果在于:
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