[发明专利]一种减少高压厚栅氧MOS管的电池0V禁止充电电路

权利要求书

1.一种减少高压厚栅氧MOS管的电池0V禁止充电电路，设置于电池充电保护电路芯片内，电池充电保护电路芯片包括连接锂电池正极的端口VDD、连接锂电池负极的端口VSS、连接外挂放电NMOS管的放电控制端口DO、连接外挂充电NMOS管的充电控制端口CO和判断充、放电电流是否正常的采样控制端口，也是高压端VM；

设有高压厚栅氧MOS管的0V禁止充电电路包括电压采样电路、电平移位电路和输出控制电路；

电压采样电路包括PMOS管P1、NMOS管N1和电阻R1，PMOS管P1的源极连接锂电池充电保护电路芯片的端口VDD，PMOS管P1的栅极与NMOS管N1的栅极互连并连接锂电池充电保护电路芯片的端口VSS，PMOS管P1的漏极连接电阻R1的一端并作为电压采样电路的输出端，电阻R1的另一端连接NMOS管N1的漏极，NMOS管N1的源极连接锂电池充电保护电路芯片的高压端VM；NMOS管N1为高压厚栅氧MOS管，PMOS管P1为高压薄栅氧MOS管；

电平移位电路包括PMOS管P2和P3、NMOS管N2和N3以及电阻R2、R3和反相器inv1；PMOS管P2和PMOS管P3的源极均连接锂电池充电保护电路芯片的端口VDD，PMOS管P2的栅极连接反相器inv1的输入端和位于电平移位电路前级的低压数字电路输出的低压电平信号，反相器inv1的输出端连接PMOS管P3的栅极，PMOS管P2的漏极连接电阻R2的一端和NMOS管N3的栅极，PMOS管P3的漏极连接电阻R3的一端和NMOS管N2的栅极并作为电平移位电路的输出端，NMOS管N2源极和NMOS管N3的源极均连接锂电池充电保护电路芯片的高压端VM；NMOS管N2和NMOS管N3均为低阈值高压厚栅氧MOS管，PMOS管P2和PMOS管P3均为低阈值高压薄栅氧MOS管；

输出控制电路包括PMOS管P4和P5以及NMOS管N4，PMOS管P4和PMOS管P5的源极均连接锂电池充电保护电路芯片的端口VDD，PMOS管P4的栅极连接电压采样电路的输出端，PMOS管P5的栅极与NMOS管N4的栅极互连并连接PMOS管P4的漏极和电平移位电路的输出端，PMOS管P5的漏极连接NMOS管N4的漏极并作为锂电池0V禁止充电保护电路的输出端，该锂电池0V禁止充电保护电路的输出端连接锂电池充电保护电路芯片的充电控制端口CO，NMOS管N4的源极连接锂电池充电保护电路芯片的高压端VM；NMOS管N4以及PMOS管P4和P5均为低阈值高压厚栅氧MOS管；

其特征在于：增设包括二极管和电阻构成的电压钳位电路并对输出控制电路加以改进，电压钳位电路用于将高压端VM钳位于电压VM1，VM1≤VM；改进的输出控制电路增设了NMOS管N9、N10和N12并用低阈值高压薄栅氧PMOS管P4’替代低阈值高压厚栅氧PMOS管P4，PMOS管P4’的连接关系与PMOS管P4的连接关系相同；NMOS管N9的漏极连接电平移位电路的输出端，NMOS管N9的栅极与源极互连并连接NMOS管N10的漏极，NMOS管N10的栅极连接电平移位电路中反相器inv1的输出端，NMOS管N10的源极连接电压钳位电路输出的钳位电压VM1，NMOS管N9和NMOS管N12均为高压耗尽型MOS管，NMOS管N10为高压薄栅氧MOS管；通过电压钳位电路和改进的输出控制电路共同作用，将电压采样电路中的NMOS管N1和PMOS管P1以及输出控制电路中的PMOS管P4和NMOS管N10的栅源电压钳位在低电压，用低阈值低压薄栅氧管NMOS管N1’替代低阈值高压厚栅氧NMOS管N1，NMOS管N1’的连接关系与NMOS管N1的连接关系相比，除NMOS管N1’的源极改为连接电压钳位电路输出的钳位电压VM1这一不同外，其余与NMOS管N1的连接关系相同。

2.根据权利要求1所述的减少高压厚栅氧MOS管的电池0V禁止充电电路，其特征在于：所述电压钳位电路包括齐纳二极管D1和电阻R4，齐纳二极管D1的负极连接端口VDD，齐纳二极管D1的正极连接电阻R4的一端并作为钳位电压VM1的输出端，电阻R4的另一端为锂电池充电保护电路芯片的高压端VM。