[发明专利]一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺

权利要求书

1.一种铌酸锂晶体的新型单畴化工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1)在硅碳棒退火炉中，放置直径及高度均大于铌酸锂晶棒30mm的99氧化铝坩埚；

2)在99氧化铝坩埚的底部放置第一电极片，在第一电极片上覆盖第一铌酸锂多晶料块体层，将铌酸锂晶棒放置在99氧化铝坩埚中部且使铌酸锂晶棒的底部压在第一铌酸锂多晶料块体层上，使第一铌酸锂多晶料块体层与第一电极片接触良好，在铌酸锂晶棒的顶端覆盖第二铌酸锂多晶料块体层，所述第一铌酸锂多晶料块体层和第二铌酸锂多晶料块体层的厚度均为8～11mm；

3)在第二铌酸锂多晶料块体层顶端覆盖第二电极片，使第二电极片与第二铌酸锂多晶料块体层接触良好，所述第二电极片与第一电极片极性相反；

4)将硅碳棒退火炉的炉温升至1150～1200℃并保温12个小时，保温过程中，以铌酸锂晶棒的光轴方向按2mA/cm²的电流强度施加电流，以形成电场；

5)保温结束后开始降温，同时停止施加电流，以撤掉电场；

6)使硅碳棒退火炉的炉温降至室温，即可完成铌酸锂晶棒的单畴化。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂晶体的新型单畴化工艺，其特征在于：步骤4)中，所述第一铌酸锂多晶料块体层和第二铌酸锂多晶料块体层的厚度均为10mm。

3.根据权利要求1或2所述的铌酸锂晶体的新型单畴化工艺，其特征在于：步骤4)中，硅碳棒退火炉的炉温升至1150℃时开始保温，且以铌酸锂晶棒光轴方向按2mA/cm²的电流强度，施加电流的时间为12小时。