[发明专利]半导体芯片的试验装置及试验方法

权利要求书

1.一种半导体芯片的试验装置，其特征在于，

在用于对功率器件的半导体芯片可能引起芯片损坏的筛选试验的试验装置中，

在施加到因所述筛选试验而产生所述芯片损坏的所述半导体芯片的施加能量在设定值以上的情况下将所述试验装置停止。

2.一种半导体芯片的试验装置，其特征在于，在用于对功率器件的半导体芯片可能引起芯片损坏的筛选试验的试验装置中，具备：

损坏判定部，其判定是否因所述筛选试验而在所述半导体芯片产生所述芯片损坏；

能量算出部，其接收由所述损坏判定部判定为所述芯片损坏的信息而算出施加到所述半导体芯片的施加能量；以及

判定部，其判定由所述能量算出部算出的所述施加能量的值是否在设定值以上。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片的试验装置，其特征在于，

还具有停止指示部，所述停止指示部在所述施加能量的值为所述设定值以上的情况下，为了更换与所述半导体芯片电接触的接触探针而指示所述试验装置停止。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片的试验装置，其特征在于，

还具有停止指示部，所述停止指示部在所述施加能量的值为所述设定值以上的情况下，为了更换与所述半导体芯片电接触的测定台而指示所述试验装置停止。

5.根据权利要求2所述的半导体芯片的试验装置，其特征在于，

所述能量算出部根据施加到所述半导体芯片的电压与电流的积的时间积分算出所述施加能量的值。

6.根据权利要求2至5中的任一项所述的半导体芯片的试验装置，其特征在于，

所述施加能量的算出是从产生所述芯片损坏时起算出施加到所述半导体芯片的损坏后施加能量。

7.根据权利要求6所述的半导体芯片的试验装置，其特征在于，

所述设定值是根据预先分析的对所述半导体芯片的损伤与所述损坏后施加能量的大小关系而确定的值。

8.根据权利要求2所述的半导体芯片的试验装置，其特征在于，

具备处理机，所述处理机在所述筛选试验时将所述半导体芯片输送到测定部，并在所述筛选试验结束后，根据所述损坏判定部的判定结果将所述测定部的所述半导体芯片输送到良品托盘。

9.根据权利要求2所述的半导体芯片的试验装置，其特征在于，

还具备校正值算出部，所述校正值算出部根据组装了所述半导体芯片的完成品的雪崩耐量试验中的所述完成品的热阻、和在所述试验装置中对所述半导体芯片以所述完成品的雪崩耐量试验中的雪崩能量进行试验时的测定系统中的热阻，算出校正为与所述完成品的雪崩能量相当的、所述测定系统中的雪崩能量的校正值。

10.一种半导体芯片的试验方法，其特征在于，

在用于对功率器件的半导体芯片可能引起芯片损坏的筛选试验的半导体芯片的试验方法中，包括：

在因所述筛选试验而在所述半导体芯片产生所述芯片损坏时，将所述半导体芯片判定为不良，并且算出施加到所述半导体芯片的施加能量的步骤；

判定所述施加能量的值是否在设定值以上的步骤；以及

在判定为所述施加能量的值为所述设定值以上时，指示试验装置停止的步骤。

11.根据权利要求10所述的半导体芯片的试验方法，其特征在于，

还包括在所述试验装置停止后，更换接触探针，并重新开始试验的步骤。

12.根据权利要求10所述的半导体芯片的试验方法，其特征在于，

还包括在所述试验装置停止后，更换测定台，并重新开始试验的步骤。

13.根据权利要求10至12中的任一项所述的半导体芯片的试验方法，其特征在于，

所述施加能量根据施加到所述半导体芯片的电压与电流的积的时间积分而算出。