[发明专利]半导体装置

说明书

提供一种半导体装置，其适当地调整有源区中的耐压。所述半导体装置具备有源区和边缘区域，并且具备：第1导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第2导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第2导电型的第1集电区，其在有源区中设置于漂移区的下方；以及第2导电型的第2集电区，其在边缘区域中设置于漂移区的下方，第1集电区的掺杂浓度大于第2集电区的掺杂浓度，在俯视时，第1集电区的面积与第2集电区的面积相同或大于第2集电区的面积。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

以往，已知在绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等中具备有源区和边缘区域(终端结构部)的半导体装置(例如，参照专利文献1或2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2018-133493号公报

专利文献2：日本特开2019-12725号公报

发明内容

技术问题

在半导体装置中，耐压包括有源区的耐压和边缘区域的耐压，就开关动作时的耐压而言，最好是边缘区域高于有源区。

技术方案

在本发明的一个方式中，提供一种半导体装置，所述半导体装置具备有源区和边缘区域，并且具备：第1导电型的漂移区，其设置于半导体基板；第2导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第2导电型的第1集电区，其在有源区中设置于漂移区的下方；以及第2导电型的第2集电区，其在边缘区域中设置于漂移区的下方，第1集电区的掺杂浓度大于第2集电区的掺杂浓度，在俯视时，第1集电区的面积与第2集电区的面积相同或大于第2集电区的面积。

第1集电区的掺杂浓度可以为1E16cm^-3以上且5E18cm^-3以下。

第2集电区的掺杂浓度可以为1E16cm^-3以上且5E18cm^-3以下。

半导体装置可以具备在俯视时设置于有源区与边缘区域之间的中间区域。第1集电区可以设置为在俯视时从有源区延伸到中间区域。

第1集电区可以在俯视时设置于有源区的内侧。

半导体装置可以具备：发射电极，其设置于半导体基板的上方，与半导体基板的正面电连接；栅极金属层，其设置于半导体基板的上方，用于设定为栅极电位。作为从半导体基板的外周端到第2集电区的端部为止的距离的宽度B可以大于作为从半导体基板的外周端到栅极金属层的端部为止的距离的宽度A。

第2集电区的掺杂浓度可以为第1集电区的掺杂浓度的0.85倍以下。

宽度B与宽度A的差可以大于10μm。

第2集电区的掺杂浓度可以为第1集电区的掺杂浓度的0.85倍以上且0.9倍以下。

在设为0.1＜α＜0.5的情况下，半导体基板的深度方向上的厚度T可以满足B-A＜αT。

半导体装置可以具备：第2导电型的保护环部，其设置于边缘区域中的漂移区的上方；沟道截断区域，其在边缘区域中的漂移区的上方，设置于比保护环部靠近半导体基板的外周端侧的位置。

上述的发明概要并未列举出本发明的全部特征。这些特征组的子组合也能够成为发明。

附图说明

图1A表示半导体装置100的俯视图的一例。

图1B表示半导体装置100的俯视图的一例。

图1C是表示图1B中的a-a’截面的一例的图。