[发明专利]垂直腔面发射激光器有效

专利信息
申请号: 202110576111.7 申请日: 2021-05-26
公开(公告)号: CN113013725B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 丁维遵;翁玮呈;刘嵩;梁栋 申请(专利权)人: 常州纵慧芯光半导体科技有限公司
主分类号: H01S5/042 分类号: H01S5/042;H01S5/183
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆
地址: 213000 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 垂直 发射 激光器
【权利要求书】:

1.一种垂直腔面发射激光器,其特征在于,包括:衬底、外延层、第一电极和焊盘;

所述外延层设置有发光区和非发光区,所述第一电极包括同层设置的环形部和连接部,所述环形部设置于邻近所述发光区的非发光区且与所述外延层接触,所述环形部沿所述焊盘方向的所述非发光区延伸形成所述连接部;

所述非发光区的外延层设置有沟槽,所述沟槽半环绕所述发光区,且所述沟槽在所述衬底上的正投影,与所述连接部在所述衬底上的正投影不交叠;

所述焊盘位于所述非发光区,所述焊盘设置于所述外延层远离所述衬底的一侧并与所述连接部搭接;

所述沟槽内填充有导热金属,所述导热金属与所述环形部不存在电性连接;

所述导热金属仅用于导热;

所述连接部与所述外延层接触,且所述第一电极先于所述沟槽形成。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述焊盘包括焊接区和搭接区,所述焊盘位于所述焊接区的部分与所述外延层之间设置有绝缘层与介电层,所述焊盘位于所述搭接区的部分与所述连接部搭接。

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述绝缘层包括:苯并环丁烯、聚苯撑苯并噁唑或者聚酰亚胺。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,还包括离子注入结构,所述连接部在所述衬底上的正投影及所述焊盘在所述衬底上的正投影,均位于所述离子注入结构在所述衬底上的正投影内。

5.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述导热金属与所述焊盘材料相同。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述沟槽的内壁设置有至少一层介电层。

7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述发光区内的外延层包括与所述环形部接触设置的P型掺杂层,所述P型掺杂层靠近所述环形部的表面设置有凹槽,且所述环形部在所述衬底上的正投影环绕所述凹槽在所述衬底上的正投影。

8.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述凹槽的深度为m*(1/4)λ,其中,m为奇数,λ为所述垂直腔面发射激光器发射光的波长。

9.根据权利要求7所述的垂直腔面发射激光器,其特征在于,所述凹槽的底壁设置有光栅结构。

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