[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202110576437.X | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113345942A | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 王蕊 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括摄像区、包围所述摄像区的过渡区以及包围所述过渡区的显示区;
所述显示面板还包括:
基板,位于所述过渡区内及所述显示区内;
多个第一支撑柱,相互间隔设置于所述基板的一侧的表面上,且位于所述显示区内;以及
第二支撑柱,覆盖于所述基板的一侧的表面上,且位于所述过渡区内,且与所述第一支撑柱同侧设置;
其中,所述第一支撑柱远离所述基板的一侧的表面与所述第二支撑柱远离所述基板的一侧的表面平齐。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二支撑柱的材质与所述第一支撑柱的材质相同。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二支撑柱的材质为无机材料。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
封装层,设置于所述第一支撑柱远离所述基板的一侧的表面及所述第二支撑柱远离所述基板的一侧的表面,且延伸覆盖于所述基板上,且位于所述过渡区内及所述显示区内。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述封装层包括:
第一无机层,设置于所述第一支撑柱远离所述基板的一侧的表面、所述第二支撑柱远离所述基板的一侧的表面,且延伸覆盖于所述基板上,且位于所述过渡区内及所述显示区内;
有机层,设置于所述第一无机层远离所述基板的一侧的表面;以及
第二无机层,设置于所述有机层远离所述基板的一侧的表面。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:
缓冲层,设置于所述基板朝向所述第一支撑柱的一侧的表面上,且位于所述过渡区内及所述显示区内;
薄膜晶体管层,设置于所述缓冲层远离所述基板的一侧的表面上,且位于所述显示区内;
至少一堤坝,设置于所述缓冲层远离所述基板的一侧的表面上,且位于所述过渡区内;
平坦层,设置于所述堤坝远离所述基板的一侧的表面、薄膜晶体管层远离所述基板的一侧的表面,且位于所述过渡区内及所述显示区内;以及
像素定义层,设置于所述平坦层远离所述基板的一侧的表面,且位于所述过渡区内及所述显示区内。
7.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括摄像区、包围所述摄像区的过渡区以及包围所述过渡区的显示区,所述显示面板的制备方法包括以下步骤:
提供一基板,其位于所述过渡区内及所述显示区内;
在所述显示区内的基板的一侧的表面上间隔制备多个第一支撑柱;以及
在所述过渡区内的基板的一侧的表面上制备第二支撑柱,所述第一支撑柱与所述第二支撑柱同侧设置;所述第一支撑柱远离所述基板的一侧的表面与所述第二支撑柱远离所述基板的一侧的表面平齐。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
在所述第一支撑柱远离所述基板的一侧的表面及所述第二支撑柱远离所述基板的一侧的表面制备封装层,所述封装层延伸覆盖于所述基板上,且位于所述过渡区内及所述显示区内。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述封装层的制备步骤包括:
在所述第一支撑柱远离所述基板的一侧的表面及所述第二支撑柱远离所述基板的一侧的表面制备第一无机层,所述第一无机层延伸覆盖于所述基板上,且位于所述过渡区内及所述显示区内;
在所述第一无机层远离所述基板的一侧的表面制备有机层;以及
在所述有机层远离所述基板的一侧的表面制备第二无机层。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一无机层及所述第二无机层采用化学气相沉积工艺制备形成;所述有机层采用喷墨打印工艺制备形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的