[发明专利]固态等离体子天线及其制备方法

权利要求书

1.一种固态等离子体天线，包括：

衬底基板；

设置在衬底基板上的至少一个SPIN单元；其中，

所述SPIN单元包括设置在所述衬底基板上的P型半导体区、设置在所述衬底基板上的N型半导体区、设置在所述衬底基板上的本征半导体区；

所述P型半导体区、所述N型半导体区、所述本征半导体区同层设置，且所述本征半导体区的载流子浓度大于10¹⁸cm^-3。

2.根据权利要求1所述的固态等离子体天线，其中，每个所述SPIN单元还包括与所述P型半导体区电连接的第一电极，以及与所述N型半导体区电连接的第二电极；

所述第一电极在所述衬底基板上的正投影不大于所述P型半导体区在所述衬底基板上的正投影，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影不大于所述N型半导体区在所述衬底基板上的正投影。

3.根据权利要求2所述的固态等离子体天线，其中，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影与所述P型半导体区在所述衬底基板上的正投影重合，所述第二电极在所述衬底基板上的正投影与所述N型半导体区在所述衬底基板上的正投影重合。

4.根据权利要求1所述的固态等离子体天线，其中，所述衬底基板包括玻璃基板或柔性基板。

5.根据权利要求4所述的固态等离子体天线，其中，所述SPIN单元包括基质层，至少所述本征半导体区由所述基质层掺杂形成；

所述基质层的材料包括GaN、SiGe、InP中的至少一者。

6.根据权利要求1所述的固态等离子体天线，其中，多个所述SPIN单元沿直线设置构成一个天线臂，所述天线臂中，相邻的两个SPIN单元间设置有绝缘结构。

7.根据权利要求6所述的固态等离子体天线，其中，所述天线臂的数量为两个，两个天线臂分别位于馈电点的两侧，且两个所述天线臂中，最接近所述馈电点的所述SPIN单元的第一电极电连接。

8.根据权利要求1所述的固态等离子体天线，其中，每个SPIN单元的述第一电极与第二电极均与控制单元电连接，所述控制单元用于向所述SPIN单元施加偏压信号。

9.一种固态等离子体天线的制备方法，用于制备权利要求1至8中任意一项所述的固态等离子体天线；所述制备方法包括：在衬底基板上形成至少一个SPIN单元；其中，形成所述SPIN单元的步骤包括：

在所述衬底基板上形成基质层；

对所述基质层进行掺杂，以形成所述P型半导体区、N型半导体区和本征半导体区。

10.根据权利要求9所述的固态等离子体天线的制备方法，其中，所述在衬底基板上形成基质层的步骤包括：

提供形成有所述基质层的晶圆；

通过转移技术将所述基质层从所述晶圆上剥离，并转移至所述衬底基板。

11.根据权利要求9所述的固态等离子体天线的制备方法，其中，所述在衬底基板上形成基质层的步骤包括：

通过成膜工艺在所述衬底基板上形成基质膜层；

通过刻蚀工艺对所述基质膜层进行处理，以形成基质层。

12.根据权利要求11所述的固态等离子体天线的制备方法，其中，所述成膜工艺包括：化学气相沉积工艺或者外延生长工艺。