[发明专利]用于读取三维闪存的方法

权利要求书

1.一种用于对三维(3D)存储设备中的目标存储单元进行读取验证操作的方法，包括：

在用于去除所述目标存储单元的快速电荷的读取准备时段期间，在非选定存储串的非选定上选择栅极(Unsel_TSG)上施加高于所述目标存储单元的阈值电压的准备电压(V_prepare)；

在所述读取准备时段期间，在与所述目标存储单元相关联的选定字线(Sel_WL)上施加断开电压(V_off)；

在所述读取准备时段期间，在非选定字线(Unsel_WL)上施加通过电压(V_pass)；以及

在所述读取准备时段之后的感测时段期间，测量所述目标存储单元的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述读取准备时段期间：

在包含所述目标存储单元的选定存储串的选定上选择栅极(Sel_TSG)上施加上选择栅极电压(V_tsg)；及

在包含所述目标存储单元的所述选定存储串的下选择栅极(LSG)上施加下选择栅极电压(V_lsg)。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，施加所述上选择栅极电压(V_tsg)包括将所述选定存储串电连接到位线；以及施加所述下选择栅极电压(V_lsg)包括将所述选定存储串电连接到阵列共源极。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，施加所述上选择栅极电压(V_tsg)包括施加4V至7V之间的电压。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，施加所述下选择栅极电压(V_lsg)包括施加4V至7V之间的电压。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，施加所述通过电压(V_pass)包括利用在所述选定上选择栅极(Sel_TSG)和所述下选择栅极(LSG)分别处于所述上选择栅极电压(V_tsg)和所述下选择栅极电压(V_lsg)之后的延迟时段施加所述通过电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，测量所述阈值电压包括在所述选定字线(Sel_WL)上施加读取电压(V_read)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，施加所述读取电压(V_read)包括施加0至2V之间的电压。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，测量所述阈值电压包括在所述非选定上选择栅极(Unsel_TSG)上施加0V的电压。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，施加所述读取电压(V_read)包括：当所述非选定上选择栅极(Unsel_TSG)的电压高于非选定存储单元的阈值电压时，施加所述读取电压(V_read)。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，施加所述读取电压(V_read)包括：当所述非选定上选择栅极(Unsel_TSG)的电压等于非选定存储单元的阈值电压时，施加所述读取电压(V_read)。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，施加所述读取电压(V_read)包括：当所述非选定上选择栅极(Unsel_TSG)的电压低于非选定存储单元的阈值电压时，施加所述读取电压(V_read)。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，施加所述准备电压(V_prepare)包括施加在4V至7V之间的电压。