[发明专利]半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 202110576696.2 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113725162A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 周鸿儒;彭远清;郭俊铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构的制作方法，包括：
外延成长一第一组成与一第二组成交错的多个层状物的一堆叠，且所述层状物的该堆叠延伸越过一半导体基板的一第一区与一第二区；
蚀刻该半导体基板的该第二区中的所述层状物的该堆叠，以形成一开口；
进行一钝化制程以将氯导向该开口的至少一表面；以及
在进行该钝化制程之后，成长一外延衬垫层于该开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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