[发明专利]一种Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜与制备方法及应用在审
| 申请号： | 202110577084.5 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN115094458A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 宋安刚;朱地;王义文;赵保峰;关海滨;徐丹;王树元 | 申请（专利权）人： | 山东省科学院能源研究所 |
| 主分类号： | C25B11/052 | 分类号： | C25B11/052;C25B1/04;C25B1/55;C23C14/30;C23C14/58;C25B11/087;C25B11/077 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250014 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cu 掺杂 nio 空穴 传输 薄膜 制备 方法 应用 | ||
1.一种Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜的制备方法，其特征是，通过电子束蒸发方法沉积镍铜复合膜，然后将镍铜复合膜在空气氛围下煅烧获得Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜；
其中，电子束蒸发方法沉积过程中同时沉积镍与铜，且在沉积过程中采用冷阴极离子束进行辅助沉积。
2.如权利要求1所述的Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜的制备方法，其特征是，电子束蒸发方法沉积完成后，温度降低至室温后破除真空状态。
3.如权利要求1所述的Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜的制备方法，其特征是，电子束蒸发方法沉积时，真空度为1.0～3.0×10-6mbar；
或，电子束蒸发方法沉积时，电子枪电源的电压为9～11kV；
或，电子束蒸发方法沉积时，灯丝电流为0.3～0.8A。
4.如权利要求1所述的Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜的制备方法，其特征是，电子束蒸发方法沉积时采用的衬底为导电玻璃。
5.如权利要求1所述的Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜的制备方法，其特征是，煅烧的温度为350～450℃，优选地，煅烧时间为1.5～2.5h。
6.一种Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜，其特征是，由权利要求1～5任一所述的制备方法获得。
7.一种权利要求6所述的Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜作为空穴传输层在CuBi2O4光阴极中的应用。
8.一种CuBi2O4光阴极，其特征是，由下至上依次由导电玻璃、空穴传输层和CuBi2O4层组成，所述空穴传输层为权利要求6所述的Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜。
9.如权利要求8所述的CuBi2O4光阴极，其特征是，CuBi2O4层的厚度为250～270nm。
10.一种CuBi2O4光阴极的制备方法，其特征是，包括权利要求1～5任一所述的Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜的制备方法，采用喷雾热解法在Cu掺杂NiO空穴传输层薄膜表面沉积CuBi2O4膜；电子束蒸发方法沉积镍铜复合膜的衬底为导电玻璃。
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