[发明专利]一种W波段脊间隙波导到微带线的超宽带过渡结构

权利要求书

1.一种W波段脊间隙波导到微带线的超宽带过渡结构，该结构包括：金属下腔体、上盖板，所述金属下腔体为对称结构，包括横对称轴和竖对称轴，所述金属下腔体中部开设有下凹式脊间隙波导腔，两侧的凸起开设有微带线屏蔽腔；两侧开设的微带线屏蔽腔位于金属下腔体的横对称轴上，且走向一致；各微带线屏蔽腔贯穿侧边凸起，微带线屏蔽腔的下底面高于脊间隙波导腔的下底面；所述脊间隙波导腔内设置有金属脊，金属脊位于金属下腔体的对称轴上，且不与微带线屏蔽腔接触；位于脊间隙波导腔内、金属脊两侧阵列设置有金属圆柱，金属圆柱的上表面高于金属脊的上表面；所述两侧微带线屏蔽腔与金属脊处都还设置有金属导带结构，该金属导带结构包括介质基板和设置于介质基板上的微带线；所述介质基板分为两部分，一部分为与微带线屏蔽腔形状相同的矩形区域，另一部分为梯形区域，该矩形区域与梯形区域下底边连接，矩形区域位于微带线屏蔽腔内，紧贴微带线屏蔽腔下底面，梯形区域位于脊间隙波导腔内，且延伸到金属脊上方；所述介质基板的梯形区域上设置有梯形微带线，该梯形微带线的上底与介质基板的梯形区域的下底齐平，梯形微带线的下底延伸到金属脊的上方，介质基板的矩形区域上设置有矩形微带线，该矩形微带线与梯形微带线连通；所述上盖板中部区域设置有与脊间隙波导腔尺寸相同的凸起，当上盖板盖合于金属下腔体上时，该凸起与金属圆柱的上表面接触；金属导带结构不与上盖板接触。

2.如权利要求1所述的一种W波段脊间隙波导到微带线的超宽带过渡结构，其特征在于，所述金属脊与微带线屏蔽腔的间距小于四分之一波长。

3.如权利要求1所述的一种W波段脊间隙波导到微带线的超宽带过渡结构，其特征在于，所述矩形微带线为50欧姆微带线，与梯形微带线之间采用四分之一波长阻抗变换段实现阻抗匹配。

4.如权利要求3所述的一种W波段脊间隙波导到微带线的超宽带过渡结构，其特征在于，所述介质基板为石英，厚度为0.127mm，矩形部分宽度为1mm，梯形部分两底长度分别为1.2mm、2mm，两底间距1.76mm；

所述矩形微带线特性阻抗为50欧姆，线宽为0.24mm，四分之一波长阻抗变换段长0.27mm，宽0.06mm，梯形微带线两底长度分别为0.28mm、0.45mm，两底相距1.54mm；

所述金属脊宽度和高度均为0.8mm，金属圆柱圆心距金属脊边缘1mm，金属圆柱直径0.7mm，高1.1mm，圆柱圆心间距1.2mm；

所述微带线屏蔽腔宽1mm，高0.6mm；

所述上盖板中心凸起高0.3mm的凸起，装配后与金属脊之间形成0.3mm的电磁波传输气隙。