[发明专利]Lamb波谐振器及其制作方法

权利要求书

1.Lamb波谐振器，其特征在于，包括自下而上依次设置的

第一电极结构；

压电振动结构；

第二电极结构；和

掩膜结构；

其中，所述第二电极结构为叉指电极，所述压电振动结构的边缘倾角均呈90°，所述掩膜结构为二氧化硅掩膜，所述二氧化硅掩膜同时覆盖叉指电极的外表面和未被叉指电极覆盖的压电振动结构的上表面。

2.根据权利要求1所述的Lamb波谐振器，其特征在于，所述第一电极结构为具有第一平板侧面和第二平板侧面的平板电极，所述压电振动结构包括与第一平板侧面相接的第一压电端面和与第二平板侧面相接的第二压电端面；其中，

所述第一平板侧面与第一压电端面位于同一平面内，第二平板侧面与第二压电端面位于同一平面内。

3.根据权利要求2所述的Lamb波谐振器，其特征在于，所述压电振动结构为厚度1μm的氮化铝膜层。

4.根据权利要求2所述的Lamb波谐振器，其特征在于，第一电极结构为方形平板电极，所述方形平板电极的电极宽度W_b为72μm，所述第二电极结构的电极宽度W_a为9.9μm。

5.根据权利要求1至4任一项所述的Lamb波谐振器，其特征在于，所述掩膜结构的厚度为0.24-3.12μm。

6.根据权利要求5所述的Lamb波谐振器，其特征在于，所述掩膜结构是采用TEOS工艺制备得到。

7.根据权利要求1至6任一项所述的Lamb波谐振器的制作方法，其特征在于，包括

步骤S1：在晶圆高阻硅上溅射形成钼薄膜，经涂胶、曝光、显影并刻蚀形成第一电极结构；

步骤S2：去胶，并在第一电极结构上淀积AlN层，形成压电振动结构；

步骤S3：在压电振动结构上溅射钼薄膜，经涂胶、曝光、显影并刻蚀形成第二电极结构；

步骤S4：去胶，并在第二电极结构上淀积二氧化硅，经涂胶、曝光、显影并刻蚀形成二氧化硅掩膜结构；

步骤S5：利用二氧化硅作为掩膜结构，刻蚀氮化铝膜层，形成边缘倾角均呈90°的压电振动结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤S3中制备的掩膜结构的厚度为0.24-3.12μm。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤S2中沉积的所述AlN层的厚度为1μm。

10.根据权利要求7至9任一项所述的方法，其特征在于，在步骤S4中是采用TEOS工艺制备二氧化硅掩膜结构。