[发明专利]垂直可变电阻存储器件

说明书

一种垂直可变电阻存储器件，包括：栅电极，所述栅电极在衬底上沿第一方向彼此间隔开，每个所述栅电极包括石墨烯并沿第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的上表面，并且所述第二方向基本上平行于所述衬底的所述上表面；第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于所述栅电极之间，每个所述第一绝缘图案包括氮化硼(BN)；以及至少一个柱状结构，所述至少一个柱状结构在所述衬底上沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述第一绝缘图案，其中，所述至少一个柱状结构包括：垂直栅电极，所述垂直栅电极沿所述第一方向延伸；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案位于所述垂直栅电极的侧壁上。

相关申请的交叉引用

于2020年7月23日在韩国知识产权局提交的题目为“Vertical VariableResistance Memory Devices”(垂直可变电阻存储器件)的韩国专利申请No.10-2020-0091631的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

实施例涉及垂直可变电阻存储器件。

背景技术

在可变电阻存储器件中，可以考虑电子在栅电极中的迁移率。

发明内容

实施例可以通过提供一种垂直可变电阻存储器件来实现，所述垂直可变电阻存储器件包括：栅电极，所述栅电极在衬底上沿第一方向彼此间隔开，每个所述栅电极包括石墨烯并沿第二方向延伸，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的上表面，并且所述第二方向基本上平行于所述衬底的所述上表面；第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于所述栅电极之间，每个所述第一绝缘图案包括氮化硼(BN)；以及至少一个柱状结构，所述至少一个柱状结构在所述衬底上沿所述第一方向延伸穿过所述栅电极和所述第一绝缘图案，其中，所述至少一个柱状结构包括：垂直栅电极，所述垂直栅电极沿所述第一方向延伸；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案位于所述垂直栅电极的侧壁上。

实施例可以通过提供一种垂直可变电阻存储器件来实现，所述垂直可变电阻存储器件包括：栅电极结构，每个所述栅电极结构包括在衬底上沿第一方向彼此间隔开的栅电极，每个所述栅电极沿第二方向延伸，所述栅电极结构在第三方向上彼此间隔开，所述第一方向基本上垂直于所述衬底的上表面，所述第二方向基本上平行于所述衬底的所述上表面，所述第三方向基本上平行于所述衬底的所述上表面并且与所述第二方向相交，并且每个所述栅电极结构中的所述栅电极以阶梯形状堆叠，在所述阶梯形状中，所述栅电极在所述第二方向上的延伸长度从最低水平高度朝向最高水平高度阶梯式减小；第一绝缘图案，所述第一绝缘图案位于每个所述栅电极结构中的所述栅电极之间，每个所述第一绝缘图案包括六方氮化硼(h-BN)或非晶氮化硼(a-BN)；第二绝缘图案，所述第二绝缘图案位于所述栅电极结构之间，每个所述第二绝缘图案包括h-BN或a-BN，并且使所述栅电极结构彼此电绝缘；以及至少一个柱状结构，所述至少一个柱状结构在所述衬底上沿所述第一方向延伸，所述至少一个柱状结构延伸穿过每个所述栅电极结构中的所述栅电极以及位于所述栅电极之间的所述第一绝缘图案，其中，所述至少一个柱状结构包括：垂直栅电极，所述垂直栅电极沿所述第一方向延伸；以及可变电阻图案，所述可变电阻图案位于所述垂直栅电极的侧壁上，并且其中，所述第二绝缘图案在所述第二方向上的延伸长度大于或等于每个所述栅电极结构中的最下面的所述栅电极在所述第二方向上的延伸长度。