[发明专利]像素结构、显示基板和显示装置在审
申请号: | 202110578553.5 | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113314578A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 李付强;张浩;李昌峰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02F1/1335 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 张筱宁;王存霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 显示 显示装置 | ||
本申请提供了一种像素结构、显示基板和显示装置,该像素结构包括:多个像素行,像素行包括沿行方向依次排列的重复单元,重复单元包括三个颜色不同的子像素;奇数像素行和偶数像素行在列方向上交替排列;相邻的奇数像素行和偶数像素行形成一个像素行组;每个像素行组包括沿行方向交替排布的第一像素单元和第二像素单元,第一像素单元呈“正三角形”排列,第二像素单元呈“倒三角形”排列;子像素沿列方向的尺寸小于子像素沿行方向的尺寸。通过将相邻像素行的子像素错位组合形成交替排布的第一像素单元和第二像素单元,保证各像素单元的基本发光亮度不变,同时通过改变子像素沿行方向和沿列方向的尺寸,可以设计出更多的像素单元,增加了像素密度。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,本申请涉及一种像素结构、显示基板和显示装置。
背景技术
随着信息社会的到来,VR、AR、3D等技术也一直推陈出新,但是这几种技术的共同特点是离不开对高像素密度(PPI)显示面板的需求。
但是,鉴于背板驱动电路以及工艺设备的精度,现有技术无法做到更高的PPI。现有的显示面板中,通过算法可以提升PPI,但是效果有限;如果通过减小像素间距来进一步增加PPI,则会遇到产品良率和设备制程能力的瓶颈问题。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点,提出一种像素结构、显示基板和显示装置,以解决现有显示面板的像素密度提升困难的技术问题。
第一个方面,本申请实施例提供了一种像素结构,包括:多个像素行,所述像素行包括沿行方向依次排列的重复单元,所述重复单元包括三个颜色不同的子像素;奇数像素行和偶数像素行在列方向上交替排列;相邻的奇数像素行和偶数像素行形成一个像素行组;每个像素行组包括沿行方向交替排布的第一像素单元和第二像素单元,且所述第一像素单元呈“正三角形”排列,所述第二像素单元呈“倒三角形”排列;所述子像素沿列方向的尺寸小于所述子像素沿行方向的尺寸。
可选地,所述第一像素单元包括奇数像素行中的一个所述子像素和偶数像素行中的两个所述子像素,且所述第一像素单元中的三个所述子像素的颜色不同;所述第二像素单元包括奇数像素行中的两个所述子像素和偶数像素行中的一个所述子像素,且所述第二像素单元中的三个所述子像素的颜色不同。
可选地,所述子像素沿列方向的尺寸与所述子像素沿行方向的尺寸的比值为1/2~4/5。
可选地,所述子像素沿列方向的尺寸与所述子像素沿行方向的尺寸的比值为3/4。
可选地,在相邻的奇数像素行和偶数像素行中,相同颜色的所述子像素的中心点沿行方向的最小间距与子像素宽度的比值为1~1.5;其中,所述子像素宽度为所述子像素沿行方向的尺寸。
可选地,在相邻的奇数像素行和偶数像素行中,相同颜色的子像素的中心点沿行方向的最小间距与所述子像素宽度的比值等于1.5。
可选地,所述重复单元中的三个不同颜色的所述子像素顺次邻接。
可选地,所述子像素沿行方向的边长与所述子像素沿列方向的边长的夹角为直角。
第二个方面,本申请实施例提供了一种显示基板,包括:如第一个方面所述的像素结构。
第三个方面,本申请实施例提供了一种显示装置,包括:第二个方面所述的显示基板。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果至少包括:
本申请实施例提供的像素结构、显示基板或者显示装置,通过将相邻像素行的子像素错位组合形成“正三角形”排列的第一像素单元以及“倒三角形”排列的第二像素单元,且第一像素单元与第二像素单元沿着行方向交替排布,可以保证各像素单元的基本发光亮度不变,同时通过改变子像素沿行方向和沿列方向的尺寸,使得在现有设备制程能力不变的条件下可以设计出更多的像素单元,从而增加了像素密度,有利于提升显示基板的显示效果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的