[发明专利]一种F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料的制备方法及应用有效
申请号: | 202110579182.2 | 申请日: | 2021-05-26 |
公开(公告)号: | CN113308711B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 马德琨;李自新;武翔;郭长莲;徐全龙;齐陈泽 | 申请(专利权)人: | 绍兴文理学院;温州大学 |
主分类号: | C25B11/091 | 分类号: | C25B11/091;C25B11/054;B82Y40/00;C25B1/30;C25B1/55 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤牡丹 |
地址: | 312000 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掺杂 cbo 纳米 阵列 光电 阴极 材料 制备 方法 应用 | ||
本发明公开了一种F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料的制备方法,所述方法包括合成CBO种子层;使用CBO种子层合成CBO纳米棒阵列光电阴极;合成F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极,将步骤S2中得到的CBO纳米棒阵列光电阴极放入NaF溶液中浸泡2h,取出烘干,300℃退火1h后得到F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料。本发明有益效果在于:所需原料绿色无毒、来源丰富,制备方法重复性好,可大规模合成;本发明制备的材料可用于光电催化还原O2生产H2O2,反应高效,操作简单,制备的材料稳定性好,具有很好的实用价值和应用前景。
技术领域
本发明属于无机纳米材料领域,具体涉及一种F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料的制备方法。
背景技术
能源是服务和提供现代人类社会的动力,随着化石燃料的密集消耗和环境破坏的日益加剧,人们对可替代清洁能源的需求不断增加。太阳能被认为是一种清洁、经济、可再生的自然资源。PEC系统,通过使用半导体光电极吸收太阳能并进行化学反应,通过这些化学反应,生产化学燃料,可以解决未来人类生活的需求,是最吸引人的策略之一。
目前,大量的努力集中在通过转换太阳能产氢(从水分解)和碳质燃料,如甲醇(从二氧化碳还原)。除此之外,通过PEC系统生产H 2 O 2也逐渐提上日程。H 2 O 2不仅是一种有前途的清洁燃料,也是一种增值化学品,广泛应用于有机合成、纸浆漂白、废水处理和医疗消毒。H 2 O 2的重要性在2016年年产量接近600万吨上得到了体现。然而,这种用途广泛的绿色化学品目前主要通过高耗能的蒽醌工艺生产,生产过程复杂。利用太阳能生产H 2 O2是一种理想的绿色可持续技术,其中只有水、氧气和阳光是必需的。因此,利用PEC ORR技术将太阳能转化为可持续资源具有非常重要的意义。目前,由于缺乏合适的光电阴极,特别是无机半导体光电阴极,相关的研究还处于起步阶段。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明旨在提供一种F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料的制备方法,由于CBO光电阴极具有价格便宜、毒性低、合适的带隙(1.5-1.8eV)、较高的理论电流密度(19.7-29.0mA/cm 2)和较正的起始电位一系列优点,可用于PEC ORR还原氧气产H 2 O 2。但是,迄今为止,用于PEC ORR光电催化合成H 2 O 2的半导体材料很少被报道。
为了实现上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料的制备方法,所述方法包括以下步骤:
S1合成CBO种子层;
S2使用CBO种子层合成CBO纳米棒阵列光电阴极;
S3合成F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极,将步骤S2中得到的CBO纳米棒阵列光电阴极放入NaF溶液中浸泡2h,取出烘干,300℃退火1h后得到F掺杂的CBO纳米棒阵列光电阴极材料。
需要说明的是,所述步骤S1的合成CBO种子层包括:
S1.1将CuSO 4 -5H 2 O溶解于去离子水中,搅拌使其完全溶解;
S1.2向步骤S1.1最终得到的混合溶液中加入乙二胺四乙酸铋钠(C 10 H 12 BiN2 NaO 8),持续搅拌使其完全溶解;
S1.3将步骤S1.2得到的溶液滴涂到FTO玻璃上,将样品放到80℃烘箱中干燥1h,随后在管式炉中550℃退火2h后获得含CBO种子层的FTO。
需要说明的是,所述步骤S2的合成CBO纳米棒阵列光电阴极包括:
S2.1将Bi(NO 3)3 -5H 2 O加入去离子水中,搅拌溶解;
S2.2向步骤S2.1最终得到的混合溶液中加入Cu(NO)3 -3H 2 O,持续搅拌使其完全溶解;
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