[发明专利]集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路(IC)，包括：

衬底，具有前表面和与所述前表面相对的后表面；

半导体器件，具有设置在衬底上的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，其中，所述第一表面设置在所述衬底的所述前表面上方，并且所述第二表面设置在所述衬底的所述后表面上方；

第一互连结构和第二互连结构，分别设置在所述半导体器件的所述第一表面和所述第二表面上；

第一层间电介质(ILD)层和第二ILD层，分别设置在所述衬底的所述前表面和所述后表面上；以及

贯穿电路通孔(TCV)，设置在所述第一互连结构和所述第二互连结构、所述第一ILD层和所述第二ILD层以及所述衬底内，

其中，所述TCV与所述半导体器件由所述衬底的部分以及所述第一ILD层和所述第二ILD层的部分间隔开，以及

其中，设置在所述衬底的所述前表面上方的所述TCV的第一端连接到所述第一互连结构的导线，并且设置在所述衬底的所述后表面上方的所述TCV的第二端连接到所述第二互连结构的导线。

2.根据权利要求1所述的IC，其中，所述TCV和所述第二互连结构的所述导线是双镶嵌结构。

3.根据权利要求1所述的IC，其中，所述TCV的所述第二端的直径大于所述TCV的所述第一端的直径。

4.根据权利要求1所述的IC，其中，所述TCV的所述第一端的直径与所述第一互连结构的所述导线的宽度之间的比率在约1：1至约1:10的范围内。

5.根据权利要求1所述的IC，其中，，所述TCV的所述第二端的直径与所述第二互连结构的所述导线的宽度之间的比率在约1：1至约1:10的范围内。

6.根据权利要求1所述的IC，其中，所述TCV的所述第二端的直径与所述半导体器件的接触件结构的宽度之间的比率在约1：1至约50：1的范围内。

7.根据权利要求1所述的IC，其中，所述TCV与所述半导体器件的栅极结构之间的距离是所述TCV的所述第二端的直径的约3倍至约50倍。

8.根据权利要求1所述的IC，其中，所述TCV包括导电衬垫和设置在所述导电衬垫上的导电插塞。

9.一种集成电路(IC)，包括：

衬底，具有前表面和与所述前表面相对的后表面；

半导体器件，具有设置在所述衬底的所述前表面上的栅极结构；

第一互连结构和第二互连结构，分别设置在所述衬底的所述前表面和所述后表面上方；

贯穿电路通孔(TCV)，设置在所述第一互连结构和所述第二互连结构内；以及

阻挡结构，围绕所述TCV，设置在所述第一互连结构和所述第二互连结构内，

其中，设置在所述衬底的所述前表面上方的所述TCV的第一端连接到所述第一互连结构的导线，并且设置在所述衬底的所述后表面上方的所述TCV的第二端连接到所述第二互连结构的导线。

10.一种形成集成电路的方法，包括：

形成具有设置在衬底的前表面上的栅极结构的半导体器件；

在所述衬底的所述前表面上方形成第一互连结构；

在所述衬底的后表面上方形成第二互连结构的第一部分；

在所述第一互连结构和所述第二互连结构的所述第一部分中形成贯穿电路通孔(TCV)开口；

沿所述TCV开口的侧壁形成导电衬垫；

在所述TCV开口内形成导电插塞；以及

在所述导电插塞上形成所述第二互连结构的第二部分。