[发明专利]一种魔芋试管芋的快速繁殖方法有效

专利信息
申请号: 202110579581.9 申请日: 2021-05-26
公开(公告)号: CN113197095B 公开(公告)日: 2023-02-24
发明(设计)人: 张宗申;金瑞;李丹丹 申请(专利权)人: 大连工业大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 代理人: 崔自京
地址: 116000 辽宁省大*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 魔芋 试管 快速 繁殖 方法
【权利要求书】:

1.一种魔芋试管芋的快速繁殖方法,其特征在于,包括以下具体步骤:

(1)魔芋胚性愈伤组织的制备:

1)无菌体系的建立:将魔芋切块、洗净和消毒后,转接至芽分化培养基,培养获得芽苗;

2)外植体的制备:对所述芽苗进行剪切,获得外植体;

3)愈伤组织的诱导:将所述外植体转接至第一诱导培养基,在黑暗条件下25-30℃下诱导,即得魔芋胚性愈伤组织;

(2)魔芋微球茎的诱导:将所述魔芋胚性愈伤组织转接至第二诱导培养基,在黑暗条件下25-30℃下诱导,即得魔芋微球茎;所述第二诱导培养基为MS+IBA 0.1-0.5mg/L+NAA0.1-0.5mg/L+5%蔗糖+0.3%活性炭的固体培养基;

(3)试管芋的制备:

1)魔芋微球茎的增殖:将所述魔芋微球茎切割,转接至增殖培养基中,在黑暗条件下25-30℃下培养;所述增殖培养基为MS+0.5 mg/LIBA+0.5 mg/LNAA+5%蔗糖液体培养基;

2)不定根分化:将所述步骤1)增殖后的魔芋微球茎经赤霉素浸泡0.5-1h后,转接至根分化培养基,在黑暗条件下25-30℃下培养,然后在无菌操作台中,用剪刀将微球茎分化的弦状不定根剪去1/3,根状茎全部保留,剪去1/3弦状不定根,即得分化的魔芋微球茎;所述根分化培养基为MS+IBA 1.0-3.0mg/L+IAA 0.05-0.1mg/L+3%蔗糖固体培养基;

3)将所述分化的魔芋微球茎转接至第三诱导培养基,在1000Lx的绿色散射光25-30℃条件下培养10-14d后,再转接至生根培养基中,即得一种魔芋试管芋,所述第三诱导培养基为MS+IBA 3.0-5.0mg/L+IAA 0.5-1.0mg/L+5%蔗糖+3%活性炭的固体培养基,所述生根培养基为MS+IBA 0.5-1.0mg/L+IAA 0.1-0.5mg/L+5%蔗糖+3%活性炭的固体培养基。

2.根据权利要求1所述的一种魔芋试管芋的快速繁殖方法,其特征在于,步骤(1)所述芽分化培养基为MS+6-BA 1.0-2.0mg/L+NAA 0.1-0.5mg/L+3%蔗糖的固体培养基。

3.根据权利要求1所述的一种魔芋试管芋的快速繁殖方法,其特征在于,步骤(1)所述外植体为叶片、叶柄或苞片;其中,所述叶片外植体选用魔芋发芽7-10d的芽苗,所述叶柄外植体选用魔芋发芽15-20d的芽苗,所述苞片外植体选用魔芋发芽10-15d的芽苗。

4.根据权利要求3所述的一种魔芋试管芋的快速繁殖方法,其特征在于,所述叶片外植体的第一诱导培养基为MS+6-BA 1.0-2.0mg/L+NAA 0.1-0.5mg/L+3%蔗糖的固体培养基;所述叶柄外植体的第一诱导培养基为MS+6-BA 0.5-1.0mg/L+NAA 0.5-1.0mg/L+2,4-D 1.0-2.0mg/L+3%蔗糖的固体培养基;所述苞片外植体的第一诱导培养基为MS+6-BA 0.5-1.0mg/L+NAA 0.1-0.5mg/L+2,4-D 0.5-1.0mg/L+3%蔗糖的固体培养基。

5.根据权利要求1所述的一种魔芋试管芋的快速繁殖方法,其特征在于,步骤(3)中所述赤霉素的浓度为1-5mol/L。

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