[发明专利]一种铜基电阻材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种铜基电阻材料，其特征在于，以质量分数计，由如下组分组成，10-14%锰、1-3%铝、0.5-1.5%镍、0.5-1.5%铁、0.5-1.5%硅，余量为铜；

所述铜基电阻材料中的杂质总含量小于50ppm，单个杂质元素的含量小于10ppm。

2.权利要求1所述的铜基电阻材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，

（1）预热：分别加热各原料至第一温度，保温；

（2）熔化：对步骤（1）得到的铜原料加热至第二温度，待铜原料熔化后再加入步骤（1）得到的铁原料、镍原料、硅原料、锰原料和铝原料，静置，使各原料形成混合熔体；

（3）铸造：控制混合熔体至第三温度，然后连续上引铸造并成卷收取，得到连铸坯；

（4）轧制：对连铸坯进行连续轧制，同时进行卷取；其中，轧制总加工量为60%-80%，单道次轧制量不大于25%；

（5）退火：对步骤（4）得到的材料进行退火处理，经冷拉后得到所述铜基电阻材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，保证步骤（3）中的混合熔体的液位高度变化小于50mm。

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，步骤（3），所述上引铸造是通过将结晶器浸渍在混合熔体中进行的；

所述结晶器末端与混合熔体液面的高度差大于100mm。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中，连续上引铸造的牵引速度为200-300mm/min；

所述结晶器中冷却水的出水温度小于50℃。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）和步骤（3）中，混合熔体上表面覆盖有覆盖剂；

所述覆盖剂包括体积比为（18-22）：1的鳞片石墨和钠钙硅酸盐；

所述覆盖剂覆盖的厚度为50-60mm。

7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度为120-200℃；

第二温度为1200-1220℃；

所述第三温度为1160-1180℃。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述退火是在氮气和氢气的混合气氛下进行的；

所述混合气氛中氢气的体积浓度不小于1%；

所述退火温度为500-550℃。

9.权利要求1所述的铜基电阻材料或权利要求2-8任一项所述方法制备得到的铜基电阻材料在仪表中的应用。