[发明专利]一种旋转结构的制备方法

权利要求书

1.一种旋转结构的制备方法，用于制备静电驱动的旋转结构，其特征在于，所述旋转结构包括斜坡结构和可旋转结构；

所述制备方法包括：

提供衬底和掩膜版，所述掩膜版包括第一曝光口和第二曝光口；

通过所述掩膜版对所述衬底进行掩模曝光的同时匀速移动所述衬底，以在所述衬底上形成斜坡结构，所述斜坡结构包括第一斜坡面和第二斜坡面；

制备可旋转结构和电极结构，所述电极结构包括第一电极和第二电极，所述第一电极与所述斜坡结构电连接，所述第二电极与所述可旋转结构电连接，所述可旋转结构用于根据所述第一电极和所述第二电极之间的静电力进行旋转。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过所述掩膜版对所述衬底进行掩模曝光的同时匀速移动所述衬底，以在所述衬底上形成斜坡结构，包括：

在所述衬底一侧制备第一氧化层并对所述第一氧化层进行图案化，所述第一氧化层暴露所述斜坡结构的制备区域；

在所述第一氧化层远离所述衬底一侧以及所述第一氧化层暴露区域制备光刻胶；

通过所述掩膜版对所述光刻胶进行掩模曝光的同时匀速移动所述衬底，以在所述光刻胶上形成光刻胶斜坡结构；

通过所述光刻胶斜坡结构对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底上形成斜坡结构。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底一侧制备第一氧化层并对所述第一氧化层进行图案化之前还包括：

在所述衬底一侧制备氧化保护层并图案化所述氧化保护层，所述氧化保护层覆盖所述斜坡结构的制备区域；

对所述氧化保护层暴露的区域进行热氧化处理，所述氧化保护层暴露的区域形成氧化结构；

去除所述氧化保护层和所述氧化结构，以使所述斜坡结构的制备区域的表面高于所述斜坡结构的非制备区域。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

调节所述斜坡结构与所述可旋转结构之间的距离。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述掩膜版还包括位于所述第一曝光口和所述第二曝光口之间的隔离掩模结构；

调节所述斜坡结构与所述可旋转结构之间的距离，包括：

通过调节所述第一氧化层的厚度、所述氧化结构的厚度以及所述隔离掩模结构的宽度中的至少一种，调节所述斜坡结构与所述可旋转结构之间的距离。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，制备可旋转结构和电极结构，包括：

提供第一半导体层，并键合所述第一半导体层和所述第一氧化层；

图案化所述第一半导体层，得到可旋转结构并在所述第一半导体层得到第一电极制备窗口，所述第一电极制备窗口暴露所述第一氧化层；

通过所述第一电极制备窗口刻蚀所述第一氧化层以暴露所述衬底；

在所述第一电极制备窗口位置处对应的所述衬底表面制备第一电极，在所述可旋转结构远离所述衬底的一侧制备第二电极，在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧表面制备第二电极接线端子，所述第二电极接线端子与所述第二电极电连接。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，通过所述第一电极制备窗口刻蚀所述第一氧化层以暴露所述衬底，包括：

通过所述第一电极制备窗口对所述第一氧化层进行过刻蚀，所述第一氧化层的刻蚀面积大于所述第一电极制备窗口的暴露面积；

在所述第一电极制备窗口位置处对应的所述衬底表面制备第一电极，在所述可旋转结构远离所述衬底的一侧制备第二电极，在所述第一半导体层远离所述衬底的一侧表面制备第二电极接线端子，包括：

在所述第一半导体层远离所述衬底一侧沉积金属层，所述金属层在所述第一电极制备窗口位置处断开；位于所述第一电极制备窗口位置处的所述金属层为所述第一电极，位于所述可旋转结构远离所述衬底的一侧的金属层为所述第二电极，位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧的金属层为所述第二电极接线端子。