[发明专利]用于包壳基体抗高温氧化涂层以及制备工艺

权利要求书

1.一种用于包壳基体抗高温氧化涂层，其特征在于：包括多层金属涂层，所述多层金属涂层包括依次设置于包壳基体的金属Mo涂层、金属Al涂层以及金属Cr涂层；所述金属Mo涂层的厚度为1-3μm，所述金属Al涂层的厚度为1-5μm，所述金属Cr涂层的厚度为5-10μm。

2.根据权利要求1所述的用于包壳基体抗高温氧化涂层，其特征在于：所述金属Mo涂层的厚度为3μm，所述金属Al涂层的厚度为5μm，所述金属Cr涂层的厚度在10μm。

3.根据权利要求1所述的用于包壳基体抗高温氧化涂层，其特征在于：所述多层金属涂层中，金属Mo涂层、金属Al涂层以及金属Cr涂层均为纳米晶结构。

4.权利要求1-3中任意一项所述的用于包壳基体抗高温氧化涂层的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1,对包壳基体进行研磨抛光处理、清洗以及干燥；

S2，对包壳基体表面进行溅射清洗，去除表面氧化层和污染物；

S3，依次在包壳基体的表面溅射Mo靶、Al靶、Cr靶，使得包壳基体的表面依次形成金属Mo涂层、金属Al涂层以及金属Cr涂层。

5.根据权利要求4所述的用于包壳基体抗高温氧化涂层的制备工艺，其特征在于：在步骤S1中，研磨抛光后的包壳基体表面粗糙Ra在2-10nm。

6.根据权利要求4所述的用于包壳基体抗高温氧化涂层的制备工艺，其特征在于：在步骤S2中，溅射气体为Ar等离子体，溅射气压为3.0Pa，溅射脉冲偏负压1000V，溅射时间为20min。

7.根据权利要求4所述的用于包壳基体抗高温氧化涂层的制备工艺，其特征在于：在步骤S3中，通过溅射氩气调节气压为0.5Pa,溅射Mo靶时选用直流电源，溅射电流为0.3-0.7A，沉积时间为50-140min；溅射Al靶时选用中频脉冲电源，溅射电流为0.5-0.7A，沉积时间120-220min；溅射Cr靶时选用中频脉冲电源，溅射电流为0.5-0.7A，沉积时间为380-830min。

8.根据权利要求4所述的用于包壳基体抗高温氧化涂层的制备工艺，其特征在于：在步骤S3中，溅射Mo靶、Al靶以及Cr靶时均要对包壳基体施加50-200V直流负偏压。

9.根据权利要求8所述的用于包壳基体抗高温氧化涂层的制备工艺，其特征在于：在步骤S3中，溅射Mo靶、Al靶以及Cr靶时均要对包壳基体施加200V直流负偏压。